基于等效电容法单极子天线校准器的研究

等效电容法是CISPR 16-1-6中给出的单极子天线的主要校准方法,其原理是使用一个等效电容模拟实际的单极子天线振子,进行相应天线系数的校准,该等效电容的电容量与单极子天线自身容量相等。基于等效电容法的工作原理,设计了一款低成本、小型化、高通用性的天线校准器。仿真和实验结果表明,该校准器可以很好适用于9 kHz~30 MHz单极子天线的校准工作。给出了使用该校准器的测量不确定度的评定过程和评定结果,结果表明,采用该装置校准单极子天线的天线系数,测量结果的扩展不确定度约为1.7 dB(k=2)。

凸点结构及电学性能对J-R型静电卡盘吸附力影响的研究

真空静电卡盘是半导体工艺中最重要的元件之一,主要应用于集成电路设备和光学设备,起到承载晶圆或衬底的作用。本文利用物理气相沉积的方法制备了J-R型静电卡盘的凸点结构。本研究中搭建了真空腔室,利用了气体背吹法,测试了不同凸点高度、不同吸附电压下约翰逊-拉别克型静电卡盘的吸附力。利用等效电容法,建立了计算凸点电学性能、结构尺寸对静电卡盘吸附力影响的仿真模型。通过仿真计算对吸附力大小的研究表明,由于接触电阻相对较低,文中方法制备的J-R型静电卡盘凸点结构几乎不对硅晶圆产生吸附力。并且随着凸点高度及凸点面积占比增加,静电卡盘对硅晶圆的吸附力降低,同时凸点表面形貌几乎不影响凸点吸附力。本文的研究对J-R效应理论的完善以及静电卡盘的设计具有重要指导意义,为半导体设备的发展提供重要的理论基础。