320×256 InGaAs短波红外焦平面阵列探测器

研制了320×256InGaAs焦平面阵列（FPA）探测器，它由InGaAs光电二极管阵列（PDA）与SiCMOS集成读出电路（ROIC）通过In凸点倒焊技术混合集成。背照射工作方式下其响应光谱范围为0．9～1．7μm。为实现InGaAsPDA与所设计的可调积分电容跨阻抗反馈放大器接口电路良好匹配，分析讨论了InGaAs光电二极管响应度、暗电流、结电容等光电特性对表征InGaAsFPA的主要性能指标的影响，优化了InGaAs光电二极管单元结构设计。采用优化结果研制的320×256InGaAsFPA，在室温下的峰值探测率达到6×10^12cm·Hz1/2·W^-1，动态范围达到68dB。