低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0

碰撞对非对称射频鞘层特性的影响

对于大多数活性射频等离子体刻蚀工艺 ,由于放电室中两个电极的面积不等 ,使得两个电极附近的等离子体鞘层是非对称性的 .考虑离子与中性粒子的碰撞效应 ,建立了一种描述这种非对称射频鞘层动力学特性的自洽动力学模型 .数值结果显示碰撞效应对极板上的瞬时电压降、瞬时电子鞘层厚度。