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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量:5
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作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词 薄膜 TiO2 等离子体化学气相淀积 敏元件
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高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子 被引量:5
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作者 韩今依 朱宏杰 +2 位作者 朱以华 杨根兵 胡黎明 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期29-33,共5页
利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料,合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36.3%的无定形氮化硅粉末。研究了放置环境、合成及热处理环境、进料位置、NH_3与SiCl_4配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响... 利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料,合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36.3%的无定形氮化硅粉末。研究了放置环境、合成及热处理环境、进料位置、NH_3与SiCl_4配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氨化硅的过程机理。 展开更多
关键词 高频等离子体 氮化硅陶瓷 粉末陶瓷
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微波等离子体化学气相淀积纳米级 ZrO_2薄膜 被引量:4
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作者 曹传宝 喻维杰 +1 位作者 彭定坤 孟广耀 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期323-328,共6页
以β-二酮螯合物 Zr(DPM)_4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温(<300℃)下合成了 ZrO_2薄膜,SEM 观测表明薄膜形貌呈细粒结构,其晶粒尺寸为纳米量级.XRD指出,淀积物中除单斜相 ZrO_2外,还存在亚稳态的四方相.X... 以β-二酮螯合物 Zr(DPM)_4为挥发性源,利用微波等离子体化学气相淀积方法成功地在低温(<300℃)下合成了 ZrO_2薄膜,SEM 观测表明薄膜形貌呈细粒结构,其晶粒尺寸为纳米量级.XRD指出,淀积物中除单斜相 ZrO_2外,还存在亚稳态的四方相.XPS 测量了 Zr3d 的电子结合能,发现较之标准 ZrO_2样品低约0.5eV,XPS 定量分析显示薄膜中含有一定量的 C 及过量的 O(?)对其原因以及在不同的淀积条件、薄膜的形成机制等进行了讨论. 展开更多
关键词 薄膜 化学 氧化锆
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微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜 被引量:3
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作者 孟广耀 谢松 彭定坤 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期369-374,共6页
采用微波等离子体增强的化学气相淀积法,在Si(111)衬底上生长了(002)择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响,发现在一定条件下。
关键词 微波等离子体 化学 氮化铝膜 生长机制
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高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子 被引量:8
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作者 朱宏杰 王新 +1 位作者 李春忠 胡黎明 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第5期591-594,共4页
利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,... 利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,减少TiO_2单体浓度可提高金红石型质量分数;也可通过在原料TiCl_4中添加AlCl_3等晶型转化剂,使产品转化为单一金红石型TiO_2。 展开更多
关键词 二氧化钛 化学 超细粒子
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等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料
6
作者 方起 彭定坤 +1 位作者 胡克鳌 孟广耀 《材料研究学报》 EI CAS 1987年第1期55-56,共2页
稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压... 稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能(其电子温度104~105K)。 展开更多
关键词 薄膜材料 等离子体化学气相淀积 PCVD 氧传感器 λ传感器
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量:3
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《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow—Trench—Isolation),金属前绝缘层(Pre—Met—al—Dielectric),金属层间绝缘层(Inter—Metal—Dielec—tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子体化学气相淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点及性能分析
8
作者 任想想 《模具制造》 2024年第7期150-152,共3页
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给... 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给系统的精确控制是实现均匀沉积薄膜的关键。为了提高沉积速率和薄膜质量,需优化反应室的设计以确保等离子体的均匀分布和稳定性。此外,射频电源的功率和频率的选择也对薄膜质量有重要影响。实践证明,通过研究技术要点和性能分析,可进一步优化设备参数,提高薄膜质量和沉积效率,为相关领域研究提供有力支持。 展开更多
关键词 等离子体 化学设备 技术要点 性能分析
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:3
9
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学(PECVD) 类金刚石薄膜 条件 掺杂 复合层
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:1
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作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学 三维生长 拼接生长 异质外延
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新型微波等离子体化学沉积装置的数值仿真
11
作者 张朝琦 汪启军 罗先炽 《武汉轻工大学学报》 CAS 2024年第3期90-98,共9页
为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅... 为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅为500 V/m,可以有效屏蔽谐振腔顶部次生电场的产生。将气体入口设置在谐振腔顶部时,气流会从基片台上均匀地横向扩散到底部排气孔,保证了反应物在基片台上的均匀分布。腔体底部的调谐机构可将谐振腔内的电场强度维持在4000 V/m以上,以确保金刚石的生长条件。优化设计了同轴天线穿过矩形波导的距离和同轴波导中心到短路活塞的距离,将反射系数S11降低到-8.7 dB。设计的新型915 MHz MPCVD装置可在高功率、高气压条件下沉积大面积、高质量的金刚石薄膜,具有实际应用价值。 展开更多
关键词 微波等离子体化学装置 数值仿真 915 MHz 金刚石
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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响
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作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页
HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学 H2 生长机理
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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究
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作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页
以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。
关键词 等离子体增强化学 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜
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热阴极直流放电等离子体化学气相淀积金刚石膜过程中等离子体环境的研究
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作者 朱晓东 詹如娟 +4 位作者 周海洋 胡敏 温晓辉 周贵恩 李凡庆 《中国科学(A辑)》 CSCD 1999年第1期92-96,共5页
利用光发射谱和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相淀积(PCVD)金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断 ,根据探针和光谱诊断结果定量地计算了在放电电流密度变化过程中基态氢原子和基态CH基团数密度的变化 ,发现基态和激发... 利用光发射谱和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相淀积(PCVD)金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断 ,根据探针和光谱诊断结果定量地计算了在放电电流密度变化过程中基态氢原子和基态CH基团数密度的变化 ,发现基态和激发态的原子氢和CH基团的数密度均因放电密度增加而提高 .电子密度、CH发射的相对强度均随放电电流密度的增加而线性增加 ,而不同的含碳活性粒子的产生与电子温度的升高有关 .将诊断结果与金刚石的生长相联系 ,表明激发态的原子氢的产生促进了金刚石的生长 ,等离子体环境中电子温度和密度的增加对金刚石生长速率提高起着重要的作用 . 展开更多
关键词 金刚石薄膜 等离子体诊断 PCVD 化学
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
15
作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子体 化学 低温合成 孔性氧化铝模板
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
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作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学 TIN薄膜 TiCN薄膜
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
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作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体 化学 低温合成 结构表征
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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性 被引量:9
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作者 马大衍 王昕 +2 位作者 马胜利 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期476-479,共4页
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子... 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 展开更多
关键词 等离子体增强化学(PCVD) Ti—Si—N 纳米薄膜 摩擦磨损性能
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等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究 被引量:4
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作者 于威 王淑芳 +3 位作者 任国斌 李晓苇 张连水 傅广生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期79-82,共4页
利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气... 利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对N2 (337 1nm) ,N+2 (391 4nm)和CN(388 3nm)辐射强度的影响 ,并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制 ,其结果为氮化碳合成中优化沉积参数。 展开更多
关键词 光学发射谱 等离子体增强 化学 氮化碳薄膜
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