超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展

介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。

光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案

针对由金属-绝缘体-金属（MIM）电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施。采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而未经MIM光刻返工的样品均未发现介质层有异常。由于MIM金属层光刻返工时,经过等离子体去胶和EKC溶液清洗表面易对电容介质层造成损伤,引起极板间短路,进而影响器件性能。实验结果表明,采用有机显影溶剂去胶来取代等离子体去胶,可有效改善光刻返工引起的电介质层损伤。采用该方法返工两次以内的成品率均不受影响。同时发现MIM电容层上的钨塞孔链密度在一定程度上影响失效率,分析认为高孔链密度样品更易受到后续孔刻蚀工艺的强电场影响。

粉浆法制备平面荧光粉涂层白光LED的技术改进

基于粉浆法制备白光LED能得到厚度可控的荧光粉层,改善了白光LED的均匀性。由于芯片长时间工作时表面的发热以及回流焊时的瞬间高温环境,聚乙烯醇(PVA)感光胶的颜色容易发生改变,影响了白光LED光效的稳定性。本文采用等离子体去胶,实验结果表明,通过该方法能有效去除感光胶,处理后的LED不会因为长时间工作荧光粉表面涂层的变色而引起光效的明显下降,同时表面的荧光粉涂层仍然为平面涂层,保证了白光的均匀性。