磁化弧光等离子体对小麦种子刺激效应的研究

磁化弧光等离子体用于提高种子活力的技术已经得到大面积的推广。实验通过不同剂量的等离子体处理小麦种子后进行盆栽实验,结果表明小麦增产幅度为10.51%～19.73%,产量因素构成中的作用顺序为:穗长>分蘖数>千粒重,最佳处理剂量为2.0 A。另外,从生理角度进行机理研究,经2.0 A的磁化弧光等离子体处理种子后电导率提高18.28%,小麦呼吸速率较对照提高了23.32%～35.59%;根系活力比对照增加40.7%;ATP含量在真叶和根系中分别增加65.15%和57.60%

直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜中的晶体类型与特征

采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,以甲烷和氢气为气源,在YG 6硬质合金基体上制备出主显晶面为(100)、(111)以及纳米晶粒的金刚石薄膜涂层。SEM观测其晶体类型主要为立方体、八面体、立方八面体,其中以立方八面体为主。随着碳源气体浓度的增加,金刚石晶体的形态会呈现从八面体-立方八面体-立方体顺序转变的趋势;而薄膜的表面形貌呈现从主显(111)晶面-(111)与(100)晶面混杂-主显(100)晶面顺序转变的特征。此外,CVD金刚石薄膜中还存在有许多类似接触孪晶、贯穿孪晶、复合孪晶,以及球形或聚晶晶粒形态的晶体,并且多数孪晶属于类似{111}复合孪晶结构。

常压弧光等离子体B-Si-RE三元共渗研究

用常压弧光等离子体多元共渗技术 ,对 1 6Mn钢和灰口铸铁进行了 B- Si- RE三元共渗。用光学显微镜、电子探针和透射电镜对共渗层的显微组织、成分和相结构进行了分析。结果表明 ,B由表及里浓度逐渐降低 ;Ce的浓度峰值在次表层。共渗层以马氏体为基 ,其上分布着块状 Fe3 ( Si,B)、Fe B及椭球状 Fe3 B。并对共渗层的硬度和耐磨性进行了测试。

弧光磁化等离子体种子处理装备应用现状及发展趋势

弧光磁化等离子体种子处理机通过控制电流大小调整光、电磁场强度,对种子进行处理,经过处理的种子,发芽势、发芽率明显提高,取得了不错的应用效果。通过对多种农作物和牧草种子进行不同剂量等离子体处理,将处理和对照进行发芽率实验,寻找出发芽率最高的处理剂量,筛选出最佳的等离子体参数,建立弧光磁化等离子体处理技术体系。改进后的弧光磁化等离子体种子处理机输出剂量更加准确,产品质量稳定,一次处理完毕,无需重复分次处理,处理效果好,能最大限度地促进种子发芽及生长,提高复壮促生能力,应用前景广阔。

脉冲放电弧光等离子体演示仪

介绍了一种脉冲放电弧光等离子体演示仪.该设备内置的测量电路可以直接显示放电电压、电流的大小和放电的持续时间,放电电流也可以通过附带的感应线圈来测量;结合光栅光谱仪,可以测出发光光谱,进而求出等离子体的温度、密度等参数.

滑动弧光等离子体技术在化工中应用研究进展

滑动弧光等离子体综合了热平衡等离子体和非平衡等离子体的优点,是一种很有前景的等离子体技术。本文介绍了滑动弧光等离子体的产生过程及反应器结构,并对其在化工领域中的应用进行了综述。

磁控弧光增强等离子体CVD(化学气相沉积)法制备立方氮化硼薄膜(英文)

采用一种新的自行设计的磁控弧光增强等离子体化学气相沉积法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜.现已成功地在单晶硅上制备出了含量较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.制备出的薄膜用傅立叶红外(FTIR)光谱和 X射线衍射(XRD)谱来表征.同时研究了各个沉积参数(基底直流负偏压、弧光等离子体放电电流、气体流量比)对立方氮化硼薄膜制备的影响.

等离子弧熔覆Fe基合金+TiC涂层中的陶瓷相行为与相结构

用等离子弧扫描涂覆涂料的金属表面 ,形成了含有陶瓷相的熔覆层 ,借助金相显微镜、电子探针、透射电镜等分析测试了涂层中组织和陶瓷相的行为。陶瓷相在熔覆层中部聚集。在弧光等离子体高温作用下 ,陶瓷相TiC溶解、溃散及随后冷却时细小陶瓷相析出 ,析出的TiC呈纳米量级 ,且TiC中存在反相畴 ,称之为“等离子辐照反相畴” ,这是由等离子扫描的高能输入决定的。陶瓷相与基体之间形成新相 ,如FeTi、Fe2

脉冲弧光放电等离子体水解活性污泥

活性污泥水解对提高污泥的稳定性、缩短厌氧消化时间和增大甲烷产率具有重要意义。研究了脉冲弧光放电等离子体(PADP)水解活性污泥方法,考察水解效果、影响因素和水解后的污泥性状。结果表明:随着峰值电压、频率和电导率的增加,污泥上清液营养物质含量呈增长趋势,溶胞率(R)升高;随着放电时间的增加,R增加,氨氮物质(NH_4^+-N)先增加后降低,可证明NH_4^+-N降解率逐渐上升且最终高于其释放率;污泥在14kV、25 Hz、1600μS·cm^(-1)条件下放电150min,R增加到51.3%,NH_4^+-N、蛋白质和多糖等有机物大量释放;经过PADP处理,污泥沉降性降低,絮凝体结构改变,含固量和颗粒尺寸降低,污泥生物大量死亡,水解污泥生物由光滑、完整的表面结构变得粗糙、破裂,细胞壁(膜)受损明显,污泥发生水解。

弧光等离子体下钢液中氮行为的研究进展

阐述了等离子体的概念、特性和在钢铁冶金中的应用，并总结了在弧光等离子体下钢液中氮行为的研究进展。

氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响

本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH4/H2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5μm逐步增大到7μm;Ar流量为700～910mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7μm急剧减小到纳米尺度,约50nm。

加弧辉光离子Ni-Cr共渗层相结构的研究

采用加弧辉光离子渗金属技术 ,实现了在不同含碳量的普通碳钢表面的Ni Cr共渗 ,对共渗的合金元素 (Ni、Cr、C)分布进行了测定 ,并通过X射线衍射分析及透射电镜分析 ,研究了Ni Cr共渗层的相组成。结果表明 ,普通碳钢表面的Ni Cr共渗层均以γ (Fe,Ni)相为主 (固溶有Cr) ;45和T8钢共渗层在γ相基体上分布着碳化物 (Cr2 3 C6和Cr7C3 ) 3种碳钢在共渗层与基体过渡区均为合金珠光体 (α相和 (Fe,Cr) 3 C)

工艺参数对加弧辉光离子Ni-Cr共渗层的影响

采用加弧辉光离子渗金属技术,对碳钢进行Ni-Cr共渗,用光学显微镜及扫描电镜对共渗层的组织形貌进行观察,并用能谱仪对共渗层厚度及合金元素(Ni、Cr)分布进行了测定,着重研究了共渗过程中各工艺参数对Ni-Cr共渗层的影响。

国外报废弹药处理的过去、现在与未来

简要概括了国外报废弹药处理的过去、现状及未来发展方向，并着重介绍了几种国外重点发展的报废弹药处理技术。

Fe掺杂AlN纳米线/三维片层复合分级纳米结构的自组装生长

源于自组装生长的分级纳米结构因新颖的属性而吸引了人们的广泛关注。采用等离子体辅助直流弧光放电技术,以FeAl合金以及N2为反应源,一步实现AlN:Fe纳米线/三维片层复合分级纳米结构的制备。通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线电子谱仪(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等对该分级结构的晶体结构、形貌、元素组成、微观结构进行了详细的分析,发现该复合分级纳米结构由一维AlN:Fe纳米线上AlN:Fe纳米颗粒原位自组装生长而成。对分级片层结构的生长机理进行研究,发现AlN:Fe磁性纳米粒子的电偶极矩及其表面上积聚电荷协同促使纳米粒子自组装形成AlN:Fe纳米片层结构。磁性测试表明,该复合分级纳米结构具有室温铁磁性,Fe^3+的3d能带中未被抵消的自发磁矩导致的自发极化是其磁性产生的主要原因。本工作为利用磁性纳米粒子自组装制备复杂的分级纳米结构系统提供了可行性。

基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响

采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。

电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响

采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电动轮廓仪、洛氏硬度计等进行了表征。结果表明:直、交电化学腐蚀都可以有效地去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC"表皮"。但交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低,处理后基体表面性能较差,不利于金刚石薄膜的形核与生长。而直流电化学两步法可以通过电化学腐蚀时间、酸蚀时间来有效调控基体表面微观结构、Co含量与机械性能,在直流1 A电化学腐蚀5min,王水再腐蚀90s后的精磨硬质合金基体上获得了较高品质、膜基附着性能的金刚石涂层,适合作为精磨基体前处理技术。