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缺陷对一维尘埃等离子体晶格色散关系的影响
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作者 黄雪梅 王春华 +1 位作者 孙晓霞 胡乐佳 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期569-571,共3页
文章采用一维尘埃等离子体晶格模型,对存在单个晶格缺陷时,在其中传播的横波和纵波的色散关系进行了推导,通过计算发现当缺陷粒子的电量和质量大于原有带电粒子时会出现能隙结构。这个结果完善和验证了当原有晶格链的周期性被破坏时,会... 文章采用一维尘埃等离子体晶格模型,对存在单个晶格缺陷时,在其中传播的横波和纵波的色散关系进行了推导,通过计算发现当缺陷粒子的电量和质量大于原有带电粒子时会出现能隙结构。这个结果完善和验证了当原有晶格链的周期性被破坏时,会出现能隙结构的理论。 展开更多
关键词 尘埃 等离子体晶格 缺陷 色散关系 能隙
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二维“液态”等离子体晶格的分析 被引量:1
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作者 华建军 刘艳红 张智河 《中国科学(G辑)》 CSCD 2003年第6期502-508,共7页
为了研究二维等离子体晶格的结构和动力学特性,在射频等离子体环境下进行了一组实验。以一次实验所得到的等离子体晶格的数据为基础,计算出径向分布函数、角相关函数和平均平方位移。通过对3个函数曲线图的分析,发现角相关函数随晶格间... 为了研究二维等离子体晶格的结构和动力学特性,在射频等离子体环境下进行了一组实验。以一次实验所得到的等离子体晶格的数据为基础,计算出径向分布函数、角相关函数和平均平方位移。通过对3个函数曲线图的分析,发现角相关函数随晶格间距的增加呈振荡减小的趋势与e^(-r)的曲线拟合的结果基本一致;平均平方位移随时间单调增加;结合径向分布函数随晶格间距的变化规律,可以得出此二维等离子体晶格处于“液态”。文中内容和采用的方法对研究凝聚态物理和胶体物理有一定帮助。 展开更多
关键词 等离子体晶格 径向分布函数 角相关函数 平均平方位移 尘埃等离子体 键角 颗粒间距
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Enhanced thermoelectric performance of Cu_(12)Sb_4S_(13-δ) tetrahedrite via nickel doping 被引量:2
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作者 Fu-Hua Sun Jinfeng Dong +5 位作者 Shaugath Dey Asfandiyar Chao-Feng Wu Yu Pan Huaichao Tang Jing-Feng Li 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2018年第9期1209-1217,共9页
Cu12Sb4S13 tetrahedrite has received great attention as an earth-abundant and environmental-friendly thermoelectric material. This work aims to uncover the thermoelectric performance-enhancing effect and the mechanism... Cu12Sb4S13 tetrahedrite has received great attention as an earth-abundant and environmental-friendly thermoelectric material. This work aims to uncover the thermoelectric performance-enhancing effect and the mechanism of nickel doping on tetrahedrite. A series of Cu12-xNixSb4S13-δ(x = 0.5, 0.7, 1.0, 1.5 and 2.0) compounds were synthesized by mechanical alloying combined with spark plasma sintering. It is found that the thermal conductivity sharply reduces with increasing Ni content over the entire temperature range,0.9 W m^-1K^-1, accompanied with an enhanced thermoelectric power factor. The model predicted that the reduced lattice thermal conductivity is attributed to mid-frequency phonon scattering, caused by precipitates and dislocations resulting from Ni doping. Consequently, a high ZT value up to 0.95 at 723 K was achieved for Cu11NiSb4S13-δ, corresponding to a ~46% increase over non-doped Cu12Sb4S13-δ. Furthermore,the cyclic measurement showed that the Ni-doped tetrahedrites displayed high chemical stability. 展开更多
关键词 nickel doping TETRAHEDRITE THERMOELECTRIC
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