新型等离子体束溅射镀膜机

本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容。该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中,克服了磁控溅射的靶材利用率低及难以沉积铁磁性材料的缺点。使用该镀膜机成功地进行了溅射镀膜的试验,试验结果得到了刻蚀均匀性较高的靶材,其靶偏压与靶电流的关系与国外结果相吻合。

激光溅射Cu等离子体与气相C_2H_5OH团簇的反应

用激光溅射-分子束技术研究了气相中Cu的等离子体与乙醇分子团簇的反应.观察到三种团簇正离子Cu+(C2H5OH)n、CuO+(C2H5OH)n、H+(C2H5OH)n和三种团簇负离子(C2H5OH)nC2H5O-、(C2H5OH)n(H2O)OH-、(C2H5OH)n(H2O)2OH-(n≤12).详细考察了在不同的载气压力下激光烧蚀等离子体作用于脉冲分子束,以及在一定的压力下等离子体作用于分子束不同位置时,对团簇产物种类和团簇尺寸大小的影响.分析了Cu+(C2H5OH)n、CuO+(C2H5OH)n、H+(C2H5OH)n、(C2H5OH)nC2H5O-、(C2H5OH)n(H2O)OH-、(C2H5OH)n(H2O)2OH-等团簇的产生机理.

微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置的研制

本文介绍了一种新型的沉积装置──微波ＥＣＲ等离子体辅助磁控溅射沉积装置。通过对装置性能的测试及沉积试验表明，该装置具有与离子束辅助沉积相类似的效果，但与离子束辅助沉积装置相比，该装置提高了成膜的沉积速度，降低了设备成本，为薄膜沉积提出了一条新途径．

双离子束溅射镀膜机的维修性分配和预计

分析了双离子束溅射镀膜机的设备原理、功能层次,参照《GJB/Z57维修性分配与预计手册》中的相关要求,根据各部件的故障率和维修经验数据,对双离子束溅射镀膜机进行维修性分配与预计。

用等离子体技术制备凹印版材耐磨层

用电镀法制备凹印版材存在环境污染严重、成本高等缺点,为此研究用等离子体表面镀膜层替代电镀法制备凹印版材的新工艺。利用等离子体磁控溅射、多弧离子镀和离子束辅助沉积技术在镍基表面制备了硬质铬薄膜。研究表明,本法制备的薄膜表面致密均匀,中间有过渡层的离子束辅助沉积层表面显微硬度为800～1100HV,磁控溅射的为300～400HV,多弧离子镀的为600～800HV,多弧离子镀和离子束辅助沉积层表面显微硬度接近于电镀法(700～1100HV)。划痕试验表明,制备的薄膜与基体结合力均在5N左右,凹版电子束辅助沉积铬后表面光滑,网点线条清晰,粗细均匀,可替代电镀法凹印版材。

产品名称：双离子溅射沉积镀膜机

产品特点： 1．离子束溅射清洗（IBSC）衬底； 2．离子束终极抛光（IBP）；衬底 3．离子柬溅射沉积（IBSD）薄膜；

溅射镀膜技术在织物金属化中应用

本文主要介绍磁控溅射和等离子体束溅射的原理、特点及在织物金属化中的应用,并对溅射镀膜技术发展前景进行展望。

辅助离子束对孪生磁场中频反应溅射等离子体特性的影响

在自行研制的离子束辅助孪生磁场中频反应溅射设备中制备光学氧化钛薄膜,利用郎缪尔静电探针研究等离子特性变化,同时测定基片表面的伏安(I-V)特性。结果表明,随离子束功率密度不断提高,等离子体电子密度不断增加,悬浮负电位绝对值减小,溅射阴极电压下降;基片表面经历从富电子向富阳离子转变,基片正电位不断提高;辅助离子束为109 W时,基片表面处于电中性等离子体平衡态。

非平衡磁控溅射系统的研究

介绍了非平衡磁控溅射系统的原理、试验性能情况 。

软X射线激光用分束镜研究

软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过马赫-詹德干涉仪完成的，是测量驱动激光临界面附近等离子体状态的重要方法。本文基于软X射线多层膜的性能特点，指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好，分束镜的设计应以其反射率和透过率的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13．9nm软X射线激光干涉测量所需的分束镜，实测表明其面形精度达到纳米量级，反射率和透过率乘积大于1．6％。

负离子源及其应用

本文简要介绍了近年研制出的几种主要类型负离子源及其工作原理,重点是等离子溅射型重金属负离子源。概述了这些负离子源在材料科学中的应用前景,如离子注入和薄膜淀积等。

非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型

为了研究非平衡磁控溅射沉积系统的等离子体特性 ,采用常规磁控溅射靶和同轴约束磁场构成非平衡磁控溅射沉积系统 .在放电空间不同的轴向位置 ,Ar放电 ,0 2Pa和 15 0V偏压条件下 ,采用圆形平面离子收集电极 ,测量不同约束磁场条件下的饱和离子束流密度 .研究结果表明 ,在同轴磁场作用下 ,收集电极的离子束流密度能达到饱和值 9mA cm2 左右 ,有利于在沉积薄膜的过程中产生离子轰击效应 .根据磁流体理论分析了同轴约束磁场形成的磁镜效应和对放电过程的影响机理 .实验与模型计算结果的比较表明 ,模型从理论上表达了同轴磁场约束对非平衡磁控溅射等离子体特性的影响规律 .

氮化碳薄膜的制备及研究现状

氮化碳具有良好的物理、化学性质和广泛的应用前景。目前主要采用化学气相沉积法、离子束溅射法、激光等离子体沉积和激光烧蚀、离子镀、离子注入法等制备方法。文中对氮化碳的结构、性质、制备、性能表征以及研究现状进行了比较详细的介绍。

PVD表面工程技术

PVD（Physical Vapor Deposition）物理气相沉积是一种真空条件下采用物理方法,将固体或液体材料表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体（或等离子体）过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能薄膜的技术。主要方法包括真空蒸镀（加热方式有电阻、电子束、激光、离子束和高频感应等加热）、溅射沉积（2-3-4极、磁控、射频磁控和离子团束等溅射沉积）、离子镀（电阻加热离子镀、空心阴极离子镀、多弧离子镀、磁控溅射离子镀、离子束辅助沉积、反应离子镀和离子团束沉积等）.

类金刚石薄膜和金刚石薄膜的最新制备技术与各种特性

类金刚石薄膜等硬质碳膜具有许多优异特性 ,其开发研究已引起人们的极大关注。文章就类金刚石薄膜和金刚石薄膜的最新制备方法与各种特性进行了解说。

超微细加工及设备

TN305.2 98032037GaN用衬底材料LiGaO2晶体超精密抛光的初步实验 =Primary study of superpolishing of LiGaO2single crystal for a substrate of GaN thin film[刊,中]/谢论,高宏刚,陈斌,曹建林（中科院长春光机所.吉林,长春（130022））,王建明,刘琳（中科院物理研究所.北京（100080））∥光学精密工程.—1997,5（5）.

新材料氮化碳晶体

通常计算认为C 3N 4可能具有5种结构,即α相,β相,立方相、准立方相以及类石墨相。除了类石墨相外,其他4种结构物质的硬度都可以与金刚石相比拟。在理论的预言下,人们采用各种手段试图在实验室合成出这种新的低密度高硬度的非极性共价键化合物,常用的制备方法有震荡波压缩、高压热解、离子注入、反应溅射、等离子体化学气相沉积、电化学沉积、离子束沉积、低能离子辐射、脉冲电弧放电和脉冲激光诱导等,但这种超硬材料的合成结果并不理想,主要表现在沉积物多为非晶CN薄膜,少数实验得到纳米级尺寸的C 3N 4晶粒镶嵌于非晶薄膜中,很少得到大颗粒的晶体。