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等离子体处理过的基板上液晶平行取向的两种模式
1
作者
Oleg Yaroshchuk
Ruslan Kravchuk
+3 位作者
Andriy Dobrovolskyy
Liou Qiu
Oleg D.Lavrentovich
谢萍
《现代显示》
2003年第6期26-30,共5页
我们提出了一种用于液晶盒的新取向工艺,可以得到0或非0的预倾角。这项工艺是用定向的等离子体流倾斜辐照基板。我们用一个阳极层发射器(anodelagerthruster)作为等离子体辐射源,以产生层状的等离子体流。它适合于处理大面积基板,可以...
我们提出了一种用于液晶盒的新取向工艺,可以得到0或非0的预倾角。这项工艺是用定向的等离子体流倾斜辐照基板。我们用一个阳极层发射器(anodelagerthruster)作为等离子体辐射源,以产生层状的等离子体流。它适合于处理大面积基板,可以处理有机(聚合物)和无机(玻璃,ITO)层。等离子体流辐照可以得到两种类型的液晶取向:(1)最可及(择优)取向轴位于离子束方向和基板法线组成的入射平面上;(2)最可及取向轴垂直于入射面。随着照射总剂量的增加,取向方向可以从类型(1)向类型(2)转变。在第一种取向模式中,可以通过改变工艺参数,如入射角、离子流密度和离子能等来改变预倾角。第二种取向模式的特征是预倾角为0。第一种模式的方位锚泊能系数相对较弱(W=10-3 Erg/cm2),而第二种类型锚泊能很强(W>10-1 Erg/cm2),与摩擦聚合物基板相当。两种模式的取向特征可以用来产生满足所需参数的取向,和构图(pattern)液晶盒基板。这种工艺方法可以克服传统摩擦工艺的某些缺点。
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关键词
液晶平行取向
等离子体流辐照
液晶盒基板
锚泊能
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职称材料
题名
等离子体处理过的基板上液晶平行取向的两种模式
1
作者
Oleg Yaroshchuk
Ruslan Kravchuk
Andriy Dobrovolskyy
Liou Qiu
Oleg D.Lavrentovich
谢萍
机构
Dept.Of Crystals Institute of Physics NASci.
Liquid Crystal Institute and Chemical Physics Interdisciplinary Program
中国科学院化学研究所
出处
《现代显示》
2003年第6期26-30,共5页
文摘
我们提出了一种用于液晶盒的新取向工艺,可以得到0或非0的预倾角。这项工艺是用定向的等离子体流倾斜辐照基板。我们用一个阳极层发射器(anodelagerthruster)作为等离子体辐射源,以产生层状的等离子体流。它适合于处理大面积基板,可以处理有机(聚合物)和无机(玻璃,ITO)层。等离子体流辐照可以得到两种类型的液晶取向:(1)最可及(择优)取向轴位于离子束方向和基板法线组成的入射平面上;(2)最可及取向轴垂直于入射面。随着照射总剂量的增加,取向方向可以从类型(1)向类型(2)转变。在第一种取向模式中,可以通过改变工艺参数,如入射角、离子流密度和离子能等来改变预倾角。第二种取向模式的特征是预倾角为0。第一种模式的方位锚泊能系数相对较弱(W=10-3 Erg/cm2),而第二种类型锚泊能很强(W>10-1 Erg/cm2),与摩擦聚合物基板相当。两种模式的取向特征可以用来产生满足所需参数的取向,和构图(pattern)液晶盒基板。这种工艺方法可以克服传统摩擦工艺的某些缺点。
关键词
液晶平行取向
等离子体流辐照
液晶盒基板
锚泊能
Keywords
types of LC alignment
new alignment procedure
anchoring energy
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
等离子体处理过的基板上液晶平行取向的两种模式
Oleg Yaroshchuk
Ruslan Kravchuk
Andriy Dobrovolskyy
Liou Qiu
Oleg D.Lavrentovich
谢萍
《现代显示》
2003
0
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职称材料
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