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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量:9
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作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子束外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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用等离子体辅助的分子束外延法生长GaN
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作者 钱勇之 《有色与稀有金属国外动态》 1994年第12期1-2,共2页
关键词 半导体 等离子体辅助 分子 外延 氮化镓
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在与分子束外延兼容的ECR等离子体源中原子氮的产生
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作者 乐天 《等离子体应用技术快报》 1996年第1期16-17,共2页
关键词 分子束处延 半导体生长 等离子体 ECR
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高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为 被引量:5
4
作者 吴渊渊 郑新和 +5 位作者 王海啸 甘兴源 文瑜 王乃明 王建峰 杨辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期380-385,共6页
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,G... 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量. 展开更多
关键词 InGaN外延薄膜 射频等离子体辅助分子束外延 In并入 晶体质量
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等离子体辅助氧化体系的分子束质谱诊断 被引量:4
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作者 张儒征 廖汉东 +1 位作者 杨玖重 杨斌 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1609-1613,共5页
等离子体助燃技术可以促进发动机在稀燃、低压和低温等极端条件下的点火和燃烧。全面探测燃料在等离子体作用下氧化过程的组分场对研究相关反应动力学机制有重要价值。本文设计搭建了结合介质阻挡放电反应器与光电离分子束质谱的实验平... 等离子体助燃技术可以促进发动机在稀燃、低压和低温等极端条件下的点火和燃烧。全面探测燃料在等离子体作用下氧化过程的组分场对研究相关反应动力学机制有重要价值。本文设计搭建了结合介质阻挡放电反应器与光电离分子束质谱的实验平台,并对甲烷和乙烯在高压纳秒脉冲放电激励下的氧化过程进行了在线组分诊断.实验探测到离子、分子、自由基和激发态组分。对比文献中对类似等离子体辅助氧化体系的组分诊断结果,该诊断方法探测的组分更加全面。 展开更多
关键词 等离子体辅助氧化 分子束质谱 组分场诊断
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ZnO薄膜的同质外延生长及其结构表征 被引量:1
6
作者 陈香存 陈铁锌 潘国强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期390-393,共4页
利用等离子体辅助分子束外延的方法在ZnO单晶衬底上制备了ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、同步辐射掠入射XRD和φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构。XRD和φ扫描的结果显示同质外延的ZnO薄膜已经达到单晶水平。掠入射XRD结果表明ZnO薄... 利用等离子体辅助分子束外延的方法在ZnO单晶衬底上制备了ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、同步辐射掠入射XRD和φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构。XRD和φ扫描的结果显示同质外延的ZnO薄膜已经达到单晶水平。掠入射XRD结果表明ZnO薄膜内部不同深度处a方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,a方向的晶格常数分别为0.3249,0.3258和0.3242 nm。计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.156,同质外延的ZnO薄膜与衬底在a轴方向的晶格失配度为-0.123%。 展开更多
关键词 等离子体辅助分子束处延 氧化锌 掠入射X射线衍射
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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量:12
7
作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多
关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底
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利用P-MBE制备高质量Mg_xZn_(1-x)O的结构和光学特性 被引量:4
8
作者 宿世臣 吕有明 +4 位作者 张振中 李炳辉 姚斌 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期309-312,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随着Mg组份的增加,MgxZn1-xO的X射线衍射的(002)衍射峰逐渐向大角度方向移动。对样品进行光致发光(PL)谱的测量,在室温下观察到了较强的紫外发光。随Mg浓度的增加,紫外发光峰向高能侧移动,并且发光峰逐渐展宽。通过对x=0.15的样品进行变温光谱的测量研究了紫外发光峰起因,得到了MgxZn1-xO的发光是来自于自由激子的发光。自由激子束缚能为54meV。 展开更多
关键词 氧化锌镁 等离子体辅助分子束外延 光致发光
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衬底温度对ZnO薄膜的结构和光学特性的影响 被引量:2
9
作者 宿世臣 吕有明 +1 位作者 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期736-739,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响。样品的晶体结构利用X射线衍射谱进行表征。X射线衍射谱表明,所有的ZnO样品都是(002)... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响。样品的晶体结构利用X射线衍射谱进行表征。X射线衍射谱表明,所有的ZnO样品都是(002)取向的六角纤锌矿结构。随着生长温度的升高,X射线的(002)衍射峰的半峰全宽逐渐减小。样品的表面形貌随着衬底的温度改变而变化,在800℃得知了平整的ZnO表面。通过光致发光的实验得知,ZnO的紫外发光随着生长温度的升高,强度逐渐增强。光致发光的来源为ZnO的自由激子发光。在生长温度为800℃时,得到了高质量的ZnO单晶薄膜,X射线衍射峰的最大半峰全宽为0.05°,霍尔迁移率为51 cm2/(V.s),载流子浓度为1.8×1018cm-3。 展开更多
关键词 氧化锌 等离子体辅助分子束外延 光致发光
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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 被引量:3
10
作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 申德振 李炳辉 张振中 刘益春 张吉英 范希武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1258-1263,共6页
报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 .室温下随着 Mg浓度增加 ,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动 .研究了样品紫外发光的起因 ,将 ... 报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 .室温下随着 Mg浓度增加 ,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动 .研究了样品紫外发光的起因 ,将 Mgx Zn1 - x O合金薄膜的发光归结为束缚激子的复合 .在 Mg0 .0 8Zn0 .92 O/ Zn O样品中 ,观察到了分别来自于 Zn O层和 Mg Zn O盖层的发光和吸收 ,并将其归因于来自 Zn O层的自由激子和 Mg Zn 展开更多
关键词 等离子体辅助分子束外延 MgxZn1-xO合金 MgZnO/ZnO异质结构 光致发光谱 反射式高能电子衍射
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利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 被引量:1
11
作者 颜建锋 梁红伟 +5 位作者 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-106,共4页
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0~ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,... 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0~ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81~ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析
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MgZnO/ZnO异质结构的发光性质研究 被引量:1
12
作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 赵东旭 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期550-554,共5页
本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上生长了Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(100nm)/ZnO(20nm)/Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(40nm)异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半... 本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上生长了Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(100nm)/ZnO(20nm)/Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(40nm)异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半高宽度为0.20°,比Mg_(0.12)Zn_(0.88)O合金薄膜的半高宽度0.15°明显展宽。通过光致发光谱研究了MgZnO/ZnO/MgZnO异质结构的光学性质,室温下测得在370nm(3.35eV)位置有很强的紫外发光,而在348nm(3.56eV)的位置处有一个较弱的发光,这两个峰分别被归结于来自ZnO层和MgZnO盖层的发光。室温下的吸收光谱中,在上述两个峰的位置附近分别存在很明显的吸收,指示了带边吸收来自于MgZnO和ZnO两种材料。通过变温发光谱研究了异质结构中载流子弛豫、复合的规律。随着温度增加,来自于ZnO层和MgZnO层的发光强度比增加,这归结为MgZnO/ZnO异质结构存在界面势垒所致。 展开更多
关键词 MgZnO/ZnO异质结构 等离子体辅助分子束外延 发光性质 光致发光谱 X射线衍射谱
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ZnMgO合金薄膜晶体质量与生长温度的依赖关系
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作者 宿世臣 杨孝东 胡灿栋 《广州化工》 CAS 2011年第13期65-66,73,共3页
利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构和光学性质的影响。X射线衍射谱表明所有的ZnMgO合金样品都是(002)取向。晶体结构为六角纤锌矿。随着生长... 利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构和光学性质的影响。X射线衍射谱表明所有的ZnMgO合金样品都是(002)取向。晶体结构为六角纤锌矿。随着生长温度的增加,ZnMgO的(002)衍射峰的最大半宽度逐渐减小。在ZnMgO合金中的Mg组分随衬底温度升高逐渐增大。样品的表面形貌随着衬底的温度改变而变化。ZnMgO的X射线衍射,透射光谱,光致发光谱和扫描电镜照片都表明在800℃得到了高质量的ZnMgO合金薄膜。并且通过控制衬底温度实现了ZnMgO中Mg组分的调节。 展开更多
关键词 ZNMGO 等离子体辅助分子束外延 光致发光
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激光科研应用
14
《中国光学》 EI CAS 1997年第5期42-44,共3页
O644.18 97053091细胞色素C的基体辅助激光脱附/电离质谱研究=Matrix—assisted laser desorption/ionizationmass spectrometry of cytochrome C[刊,中]/王雪峰,秦启宗,郑成法(复旦大学激光化学研究所.上海 (200433)),李海洋,马晨生,... O644.18 97053091细胞色素C的基体辅助激光脱附/电离质谱研究=Matrix—assisted laser desorption/ionizationmass spectrometry of cytochrome C[刊,中]/王雪峰,秦启宗,郑成法(复旦大学激光化学研究所.上海 (200433)),李海洋,马晨生,白吉玲(大连化学物理研究所.辽宁,大连(116023))∥量子电子学.—1996,13.—220—223采用基体辅助激光脱附和电离法,分别以肉桂酸和2,5—二羟基苯甲酸作为基体,在飞行时间质谱中测得细胞色素C的相对分子质量为12780 u,并观察到它的多聚体离子。实验结果表明,肉桂酸是比较理想的基体,同时还考察了Na^+离子存在对测定结果的影响。 展开更多
关键词 激光强度 飞行时间质谱 激光脱附 基体辅助 肉桂酸 等离子体 激光辐照 激光能量密度 细胞色素 相对分子质量
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Increase in Generation of Poly-Crystalline Silicon by Atmospheric Pressure Plasma-Assisted Excimer Laser Annealing
15
作者 Alexander Gredner Christoph Gerhard +2 位作者 Stephan Wieneke Kai Schmidt Wolfgang Viol 《材料科学与工程(中英文B版)》 2013年第6期346-351,共6页
关键词 等离子体辅助 分子雷射 激光退火 多晶硅 常压 生成效率 激光传播 协同作用
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薄膜光学 制膜技术与装置
16
《中国光学》 CAS 2005年第1期59-61,共3页
O484.1 2005010443 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响=Thermal annealing effect on characteristics of surface morphology and ellipsometric of zinc oxide film[刊,中]/刘磁辉(中国科学技术大学物理系.安徽,合肥(23002... O484.1 2005010443 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响=Thermal annealing effect on characteristics of surface morphology and ellipsometric of zinc oxide film[刊,中]/刘磁辉(中国科学技术大学物理系.安徽,合肥(230026)).林碧霞…∥发光学报.-2004,25(2).-151-155 利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。 展开更多
关键词 原子力显微镜 发光学 表面形貌 等离子体辅助分子束外延 载流子浓度 晶粒尺寸分布 光致发光 多层结构 薄膜材料 沉积速率
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An Improved Method for Fullerol Preparation Based on Dialysis
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作者 姚璐 康峰 +1 位作者 彭琦云 杨新林 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第5期876-879,共4页
A dialysis-based method was developed to remove Na ions in fullerol preparation by a conventional synthetic route. Fullerol was synthesized using a typical two-phase reaction in the presence of tetrabutylammonium hydr... A dialysis-based method was developed to remove Na ions in fullerol preparation by a conventional synthetic route. Fullerol was synthesized using a typical two-phase reaction in the presence of tetrabutylammonium hydroxide. Its structure was confirmed by UV spectra, Fourier transform infrared spectroscopy spectra, 1 H nuclear magnetic resonance, and matrix-assisted laser desorption/ionization time of flight mass spectra. The content of Na element was determined by inductive coupled plasma atomic emission spectroscopy. The mass content of Na in the product obtained from the conventional route was about 10%, and it could be almost completely eliminated by dialysis with a membrane of molecular weight cut-off (MWCO) 8-15 kDa. The yield of fullerol by the dialysis method was slightly higher than by the conventional route. These results indicate that dialysis may have a potential application for fullerol preparation. 展开更多
关键词 制备方法 富勒醇 电感耦合等离子体原子发射光谱 透析 傅立叶变换红外光谱仪 电离飞行时间质谱 基质辅助激光解吸 截留分子
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Role of Double MgO/ZnO Buffer Layers on Defect Reduction of ZnO Layers Grown on c-Sapphire by P-MBE
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作者 Agus Setiawan Takafumi Yao 《材料科学与工程(中英文A版)》 2011年第3X期380-389,共10页
关键词 ZnO缓冲层 纳米氧化镁 MBE生长 蓝宝石 锌层 缺陷 等离子体辅助分子束外延 临界厚度
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用分子束外延法生长InGaN激光二极管
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作者 傅恩生(编译) 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2005年第11期61-61,共1页
与金属有机化学蒸气沉积法相比,分子束外延法尽管有很多潜在的优点,但是直到最近,一直认为分子束外延法不适合生产以InGaN为基础的下一代光学数据存储用蓝一紫光激光二极管发射器。现在,波兰华沙高压物理研究所的一个小组,用等离... 与金属有机化学蒸气沉积法相比,分子束外延法尽管有很多潜在的优点,但是直到最近,一直认为分子束外延法不适合生产以InGaN为基础的下一代光学数据存储用蓝一紫光激光二极管发射器。现在,波兰华沙高压物理研究所的一个小组,用等离子体辅助分子束外延方法,成功地制造出408nm多量子阱激光二极管,器件参数可与早期用金属有机化学蒸气沉积方法生产的发射器相比。 展开更多
关键词 分子束外延法 激光二极管 INGAN 等离子体辅助分子束外延 生长 光学数据存储 化学蒸气 金属有机 物理研究所
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m面蓝宝石上ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及发光特性研究 被引量:4
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作者 宿世臣 吕有明 梅霆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期536-539,共4页
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al2O3)衬底上制备了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RHEED)图样的原位观察表明,多量子阱结构是以二维模式生长的.从光致发光谱中可以看到ZnO/Zn0.85Mg0.15O多... 利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al2O3)衬底上制备了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RHEED)图样的原位观察表明,多量子阱结构是以二维模式生长的.从光致发光谱中可以看到ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱在室温仍具有明显的量子限域效应.在290K时阱宽为3nm的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的发光峰位于3.405eV,通过变温发光谱研究了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱的发光来源,在较低温度下为ZnO束缚激子辐射复合,而在较高温度下发光以自由激子为主.3nm的ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱束缚能为73meV. 展开更多
关键词 等离子体辅助分子束外延 ZnO多量子阱 光致发光
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