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兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管
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作者 金冬月 贾晓雪 +5 位作者 张万荣 那伟聪 曹路明 潘永安 刘圆圆 范广祥 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1141-1149,共9页
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn... 为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。 展开更多
关键词 电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor BCPT) 金属-半导体接触的功函数差 正衬底偏压结构 发射结注入效率 电流增益 击穿电压
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过程工程所等金属-半导体复合物核壳纳米结构研究获进展
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2411-2411,共1页
金属-半导体复合物的“等离子体协同效应”,使其在光催化,光电器件以及激光等领域都具有广泛的应用前景。因此,如何精确地控制合成金属一半导体复合物纳米结构,已然成了研究热点。
关键词 金属-半导体 纳米结构 复合物 过程工程 核壳 协同效应 等离子体 光电器件
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兰州化物所金属/半导体异质光催化纳米材料研究获进展
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期147-147,共1页
在中国科学院"百人计划"项目和国家自然科学基金委支持下,中国科学院兰州化学物理研究所能源与环境纳米催化材料课题组在金属/半导体异质光催化纳米材料结构设计合成研究领域获新进展。能源与环境纳米催化材料课题组设计构建... 在中国科学院"百人计划"项目和国家自然科学基金委支持下,中国科学院兰州化学物理研究所能源与环境纳米催化材料课题组在金属/半导体异质光催化纳米材料结构设计合成研究领域获新进展。能源与环境纳米催化材料课题组设计构建了一种新型异质结构光催化剂——金属Ag纳米线/Ag3PO4立方体异质光催化剂,即在Ag纳米线表面通过选择性外延生长构建了尺寸、形貌、位置、数量等可控的Ag3PO4立方体,形成项链状异质纳米结构。由于金属Ag纳米线具有较低费米能级。 展开更多
关键词 光催化剂 纳米线 纳米催化材料 半导体 中国科学院 金属 异质结构 选择性外延生长 立方体 纳米结构
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使用异质外延技术的原子“拼凑”用于下一代半导体器件
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《家电科技》 2019年第4期24-25,共2页
来自东京都立大学的研究人员已经生长出原子级薄的过渡金属二硫化物(TMDCs)结晶层,其在空间上具有不同的成分,不断地将不同类型的TMDC“喂”入生长室以定制性质的变化。实例包括由具有原子直接界面的不同TMDC包围的20nm条带和分层结构... 来自东京都立大学的研究人员已经生长出原子级薄的过渡金属二硫化物(TMDCs)结晶层,其在空间上具有不同的成分,不断地将不同类型的TMDC“喂”入生长室以定制性质的变化。实例包括由具有原子直接界面的不同TMDC包围的20nm条带和分层结构。他们还直接探测了这些异质结构的电子特性,潜在的应用包括具有超高电源效率的电子产品。 展开更多
关键词 异质结构 原子级 半导体器件 外延技术 二硫化物 过渡金属 研究人员 分层结构
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表面S钝化技术与金属/GaAs界面异质结构
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作者 祝传刚 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第3期100-102,F003,共4页
本文详细讨论了GaAs表面S钝化技术的发展过程,总结了近年来人们对S钝化技术的研究成果,并针对该技术在金属/GaAs异质结构领域的广泛应用前景进行了讨论。
关键词 钝化 金属/GaAs异质结构 半导体技术 Fermi能级钉扎 势垒高度 Schottky-Mott模型
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构筑先进二维异质结构Ag/WO3-x用于提升光电转化效率(英文) 被引量:1
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作者 任玉美 许群 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1157-1164,共8页
等离子体激元诱导的光电化学反应被认为是太阳能转换的有效的替代方案。寻找具有增强的光吸收以及更长载流子寿命的高效光催化剂对于提高太阳能的转换效率至关重要,但其制备却具有挑战性。我们制备了Ag纳米颗粒均匀负载的二维(2D)无定... 等离子体激元诱导的光电化学反应被认为是太阳能转换的有效的替代方案。寻找具有增强的光吸收以及更长载流子寿命的高效光催化剂对于提高太阳能的转换效率至关重要,但其制备却具有挑战性。我们制备了Ag纳米颗粒均匀负载的二维(2D)无定形三氧化钨(a-WO3-x),并对其进行退火处理,所获得的纳米异质结用作光电极材料具有高效的光电转化效率,并且其光氧化降解性能也显著提升。该光电阳极的高光电催化(PEC)性能归因于等离子体金属Ag纳米颗粒的局部表面等离子共振(LSPR)效应能够增强体系的光吸收和热电子转移。此外,局部结晶-非晶界面的构筑可以进一步提高光生电子-空穴对的分离效率并增加体系的导电性。 展开更多
关键词 二维材料 等离子体金属/半导体异质结构 PEC转换
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硼碳氮纳米管的结构调控及性质研究又获新进展
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《中国科学院院刊》 2007年第5期411-411,共1页
物理所王恩哥研究组与武汉大学的同事合作,采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术,在金属衬底上直接生长硼碳氮/碳多壁纳米管异质结阵列。结构分析表明,硼碳氮纳米管和碳纳米管具有高质量的界面结构。采用原子力显微镜对单个异质... 物理所王恩哥研究组与武汉大学的同事合作,采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术,在金属衬底上直接生长硼碳氮/碳多壁纳米管异质结阵列。结构分析表明,硼碳氮纳米管和碳纳米管具有高质量的界面结构。采用原子力显微镜对单个异质结构进行电学测量,发现硼碳氮/碳纳米管异质结具有优良的整流特性。该研究结果一方面首次给出了单根多壁硼碳氮纳米管纯半导体性质的直接实验证据, 展开更多
关键词 硼碳氮纳米管 半导体性质 结构调控 热丝化学气相沉积 等离子体辅助 异质结构 原子力显微镜 多壁纳米管
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固体所在构筑异质复杂一维纳米结构方法上取得进展
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《中国科学院院刊》 2011年第4期467-467,共1页
中科院合肥物质科学院固体所孟国文小组发明了一种合成以氧化铝绝缘体为壳层的纳米电缆的普适方法。这些纳米电缆“芯部”的纳米线和纳米管的材料可以是金属、金属氧化物、导电聚合物、化合物半导体以及单质碳、硅和锗等。
关键词 一维纳米结构 固体 金属氧化物 异质 化合物半导体 纳米电缆 导电聚合物 绝缘体
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Longitudinal Electromagnetic Surface Tamm States of Multi-layered Semi-infinite Conducting Hetero-Structures
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《材料科学与工程(中英文B版)》 2012年第2期185-191,共7页
关键词 半导体 异质结构 流体动力学模型 半无限 磁表面 界面系统 金属材料
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过渡金属氧化物异质结在多场调控下的新奇物性及器件研究
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《中国科技成果》 2018年第4期18-18,22,共2页
半导体器件中的量子尺寸效应和散热等问题已成为制约微电子工业发展的瓶颈。氧化物异质结构界面诱导的一系列新奇物理现象为探索多场调控的多功能、低功耗、高密度集成的氧化物器件带来了新机遇。推动氧化物异质结从基础原理到器件应用... 半导体器件中的量子尺寸效应和散热等问题已成为制约微电子工业发展的瓶颈。氧化物异质结构界面诱导的一系列新奇物理现象为探索多场调控的多功能、低功耗、高密度集成的氧化物器件带来了新机遇。推动氧化物异质结从基础原理到器件应用的系统研究,对我国信息产业的源头创新和持续发展具有重要意义。 展开更多
关键词 过渡金属氧化物 半导体器件 异质结构 调控 物性 量子尺寸效应 工业发展 物理现象
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与硅基CMOS兼容且具有超高响应率和比探测率的二维二硒化铂自驱动光电探测器 被引量:4
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作者 叶鹏 肖涵 +3 位作者 朱清海 孔宇晗 唐幼梅 徐明生 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期193-201,共9页
因二维材料的独特性质及其可调谐的光谱响应,基于二维材料的光电探测器受到广泛关注.然而,它们的性能还不够突出,其制造工艺与硅基互补金属氧化物半导体技术工艺流程的兼容性还需要评估.在本文中,我们报道了一种基于二硒化铂/超薄二氧化... 因二维材料的独特性质及其可调谐的光谱响应,基于二维材料的光电探测器受到广泛关注.然而,它们的性能还不够突出,其制造工艺与硅基互补金属氧化物半导体技术工艺流程的兼容性还需要评估.在本文中,我们报道了一种基于二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结构的高性能、空气稳定、自驱动、室温宽带光电探测器.该光电探测器表现出超高的响应度(8.06 AW-1)和比探测率(4.78×10^(13)cm Hz^(1/2)W^(-1))、极低的暗电流(0.12 pA)以及优秀的开关比(1.29×10^(9)).在375,532,1342和1550 nm波长处所测的光电流响应度分别为2.12,5.56,18.12和0.65 m AW^(-1).此外,制造的9×9器件阵列不仅展示了该探测器非常好的均匀性和可重复性,而且还显示了其在紫外-可见-近红外照明成像应用领域的潜力.我们设计的二硒化铂/超薄二氧化硅/硅异质结光电探测器极大地抑制了暗电流,提高了二极管的理想因子并增加了界面势垒.因此,它为改善光电探测器性能的设计提供了一种新策略. 展开更多
关键词 光电探测器 比探测率 自驱动 暗电流 互补金属氧化物半导体 响应率 异质结构 光谱响应
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Growth mechanism of liquid Hg/solid β-HgS metal-semiconductor heterostructures
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作者 Xugang Zhang Li Niu Zhiyong Tang 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2014年第29期3894-3903,共10页
Density functional theory(DFT)was utilized to simulate the reactions occurred in the mixture solution of cysteine and Hg(II)ions with the ratio\2.Simulation result shows that Hg ions will coordinate to cysteine by the... Density functional theory(DFT)was utilized to simulate the reactions occurred in the mixture solution of cysteine and Hg(II)ions with the ratio\2.Simulation result shows that Hg ions will coordinate to cysteine by the thiol groups with the form of S–Hg2and S–Hg3,and moreover,the content of free Hg ions can only be reduced by these two forms.OH-plays an important role in the growth of b-HgS,because its nucleophilic substitution reaction supplies plenty of Hg–S–Hg radicals,which will be adsorbed onto the surface of liquid mercury ball and form the precursor of b-HgS(111)plane.Three valent bonds adsorption of Hg–S–Hg radicals onto the surface of Hg ball has more adsorption energy(-32.768 kcal mol-1)than that of two valent bond adsorption(-20.882 kcalmol-1).Hg balls will stop growing after completely covered with Hg–S–Hg radicals and their size will be limited.The growth direction of b-HgS is parallel to the‘‘repelling’’force,that is[111]direction in b-HgS lattice.The calculated results are in good agreement with the experimental observations,demonstrating that the DFT method can be taken as a very useful tool to interpret the solution reactions that cannot be solved by conventional methods. 展开更多
关键词 硫化汞 半导体异质结构 亲核取代反应 DFT方法 金属 机制 密度泛函理论 半胱氨酸
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周树云:踏上二维材料的“新大陆”
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作者 刘禛 《现代青年》 2020年第4期48-49,共2页
周树云所在的凝聚态物理领域,无论国内还是国外都存在悬殊的男女比例现象。不过,女性到底适不适合从事科研,从来都不是她考虑的问题——因为"身边有很好的榜样"。从清华物理系学生到成为清华物理系教授,周树云的人生经历简单... 周树云所在的凝聚态物理领域,无论国内还是国外都存在悬殊的男女比例现象。不过,女性到底适不适合从事科研,从来都不是她考虑的问题——因为"身边有很好的榜样"。从清华物理系学生到成为清华物理系教授,周树云的人生经历简单又梦幻。简单的是她的工作和生活都在学校里,梦幻的是她所从事的学科研究总能发现"秘密"。 展开更多
关键词 二维材料 异质 能带结构 光电子谱 金属硫族化合物 石墨烯 半导体性质 氮化硼 发射光谱学
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