电感耦合等离子刻蚀法加工石英晶体谐振器工艺研究

为了制备石英晶体谐振器,在石英衬底上采用光刻和电感耦合等离子刻蚀技术制备台阶形貌,研究了制备过程中激励电源功率、偏压电源功率以及导热物质等工艺参数对刻蚀效果的影响。并且利用扫描电子显微镜对刻蚀图形的表面形貌进行了观察,通过实验与分析得到了符合工业生产要求的工艺参数。最后在最优工艺参数条件下,制得了高约22μm的整齐的台阶形貌,并将干法刻蚀的结果与湿法刻蚀对比,展现了干法刻蚀的特点以及干法刻蚀应用于工业化生产石英晶体谐振器的潜力。

离心渗透等离子刻蚀法制备无基底阵列式碳纳米管复合膜

介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法,然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现,聚乙烯醇可以起到固定碳纳米管的作用,而且找到最佳聚乙烯醇溶液粘度,并且研究了刻蚀时间对刻蚀效果的影响。此外还研究了膜表面处理对聚乙烯醇渗入碳纳米管膜性能的影响,结果表明,膜表面处理能有效改善聚乙烯醇对碳纳米管膜的渗入性。

基于感应耦合等离子刻蚀技术的三维微拉伸梁制作工艺

根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作,其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构,并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性,此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸梁制作。

等离子刻蚀过程中的微弱信号提取与终点监测

在用等离子发射光谱技术监测大规模集成电路等离子刻蚀过程及科点时，为有效地抑制本底光对监测结果的影响，作者采用了双波长法和具有采样跟踪滤波器的锁相技术，从强光背景中提取了反映等离子刻蚀过程的微弱等离子谱信号。

等离子刻蚀制造硅场发射阵列

本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。

碳纳米管聚合物复合膜的等离子刻蚀研究

本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果。用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了观测。结果表明电压为100 V,电流为0.52 A时可以有效地刻蚀掉在制备无衬底碳纳米管膜时附在其上的粘胶剂和聚合物。且刻蚀前后碳纳米管复合膜的电阻有很大变化,从110.2Ω降至8.4Ω。

GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究

用Ｎ２气和ＮＦ３反应气体，在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶ＡＺ１５１８作掩模，均匀、快速刻蚀ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＷＮ，Ｗ等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术，将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示，实现了计算机辅助监控和终点检测技术。

等离子刻蚀多晶硅问题解析

多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料。而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界。湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决。

PEEK/碳纤维复合材料形态研究的氩等离子刻蚀技术

为了提高聚醚醚酮(PEEK)/碳纤维复合材料的反差,便于研究其精细结构,采用氩等离子刻蚀技术制备适合扫描电子显微镜研究的试样。经过刻蚀后,在扫描电子显微镜下首先清晰地观察到在碳纤维表面上形成的沿纤维轴向生长的PEEK球晶串,即PEEK模穿晶体形态以及组成球晶的晶片。实验结果表明氩等离子刻蚀技术能有效地用于制备适合扫描电镜研究的PEEK/碳纤维复合材料。

等离子刻蚀二氧化硅

本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。

等离子刻蚀工艺中UV坚膜技术研究

对正性光刻胶进行UV坚膜处理，可有效地保持图形形貌的完整性，并提高抗蚀性能，可消除等离子刻蚀中容易产生的燃胶等现象，但坚膜用起始温度、终点温度、温升速率及UV光照时间等参数对坚膜效果均会产生较大的影响。参数选择不当，同样会产生不良效果。

中微半导体,中国大陆第一台等离子刻蚀机的创造者

2015年到2020年，中国大陆半导体产业投资将达到680亿美元，而芯片制造设备投资额也达到500亿美元。但是我国的芯片制造设备95％依赖于进口，核心设备被国外公司垄断，如果国产的设备商没有突破，钱都会让外国公司挣走了。

二氧化硅等离子刻蚀研究

随着半导体集成电路特征尺寸的缩小，对制造电路工艺和设备的要求也逐步提高。干法刻蚀技术在集成电路的制造过程中起着重要的作用，本文阐述了二氧化硅等离子刻蚀的原理，对影响刻蚀速率和均匀性参数进行摸底试验，根据试验结果对参数进行优化。

用等离子刻蚀层间界面或形成多层结构的方法提高硬耐磨涂层的耐蚀性能

以于要求兼具耐磨耐蚀性能的场合，可以用致密的物理气相涂层替代一般电镀层，为在高速钢上获得具有高耐蚀性涂层，选择了下列2种磁控溅射方法，即单涂层（CrN,NbN)，多涂层（Cr/CrN)，还研究了界面经等离子刻蚀对涂层体系的影响，对单涂层而言，在涂层生长中几次中止沉积过程，并对所形成的新鲜表面进行离子轰击。对多涂层体系则在不同层间界面进行等离子刻蚀，对薄膜的等离子刻蚀可以得到比较致密的涂层，用动电位腐蚀试验研究了氯化钠溶液中涂层的耐蚀性能，并采用多种微观检查方法和擦伤试验评定涂层的性能，结果表明，界面刻蚀提高了单涂层的耐蚀性能，但对多涂层耐蚀性能的作用不大。

等离子刻蚀品圆温度测量产品

EtchTemp Sen sorWafer^TM是KLA-Tencor的 SensArray业 务部推出的下一代现场等离子刻蚀晶圆温度测量产品，它能抓住生产晶圆工艺环境的效用，并提供独一无二的全新能力，可以对65纳米及以下节点的高功率、高频率刻蚀配方扩散进行良好的特征描述。主要增强的功能包括：高达7千瓦的总射频（RF）功率，且在任何反应器中都可以正常发挥功能；

打破多年依赖进口局面纳米等离子刻蚀机进大生产线

半导体工艺装备是一个非常复杂的系统。多年来,中国半导体行业所需设备几乎全部依赖进口。近20年来,中国半导体行业的强劲发展不仅没有拉动中国半导体装备的发展,反而由于引进的冲击使中国的半导体设备行业濒临全军覆没。

8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机(NMC508A)

NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多种工艺集成等特点。

微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探

本文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理。然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告，分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点。最后简述一下等刻技术在掩模工艺中的应用前景和由此带来的经济效益。

气相等离子刻蚀终点动态监控技术

本文介绍了气相等离子刻蚀终点监控的几种方法,并着重讨论了光学发射光谱法在终点动态监控中的应用。

北方微电子“等离子刻蚀机”荣获2009年度“国家科技进步二等奖”

2010年1月11日，一年一度的国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，党和国家领导人胡锦涛、温家宝、李长春、习近平、李克强出席大会并为获奖代表颁奖。国家科学技术奖励是我国科技界的一大盛事，更是对我国科技创新能力的一次大检阅，各大奖项的归属已成为科技界乃至全社会关注的焦点。