中微半导体,中国大陆第一台等离子刻蚀机的创造者

2015年到2020年，中国大陆半导体产业投资将达到680亿美元，而芯片制造设备投资额也达到500亿美元。但是我国的芯片制造设备95％依赖于进口，核心设备被国外公司垄断，如果国产的设备商没有突破，钱都会让外国公司挣走了。

打破多年依赖进口局面纳米等离子刻蚀机进大生产线

半导体工艺装备是一个非常复杂的系统。多年来,中国半导体行业所需设备几乎全部依赖进口。近20年来,中国半导体行业的强劲发展不仅没有拉动中国半导体装备的发展,反而由于引进的冲击使中国的半导体设备行业濒临全军覆没。

8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机(NMC508A)

NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多种工艺集成等特点。

北方微电子“等离子刻蚀机”荣获2009年度“国家科技进步二等奖”

2010年1月11日，一年一度的国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，党和国家领导人胡锦涛、温家宝、李长春、习近平、李克强出席大会并为获奖代表颁奖。国家科学技术奖励是我国科技界的一大盛事，更是对我国科技创新能力的一次大检阅，各大奖项的归属已成为科技界乃至全社会关注的焦点。

单片机在ECR等离子体刻蚀机上的应用

简要介绍了等离子体刻蚀机的控制要求和技术指标,阐述了应用8031实现上述要求的软、硬件具体实现方法及实际使用情况,最后提出了一些改进的措施。这种控制系统有进一步推广应用到其它工业生产设备上的价值。

一种等离子体刻蚀机的传片系统设计

为实现高效连续自动化生产,满足大规模工业化生产需求,本文研发设计了一种等离子体刻蚀机的新型传片系统,该传片系统可一次预装3盘、6盘或更多盘数晶片,并由全自动机械手自动传输,实现了多盘连续自动化刻蚀,提高了生产效率。

一种等离子体刻蚀机预装腔的设计

为满足高效连续自动化的工业化生产需求,对等离子体刻蚀机的预装腔进行设计改进,改进后的预装腔可实现≥2盘晶片的连续自动化刻蚀,提高了生产效率。

硅的深槽刻蚀技术研究

研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题。

高密度等离子体刻蚀机

主要技术与性能指标,刻蚀速率:Si,≥0.5μm/min;SiO_(2),≥0.2μm/min,非均匀性:4英寸样片,≤±5%,刻蚀材料:石英、蓝宝石、硅,气路系统:标配6路进气主要应用,用于微电子、光电子器件的刻蚀,代表性应用成果。主要用户单位,中国科学院大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、厦门大学。

国产太阳能电池设备：已基本具备整线供给能力

目前我国已基本具备太阳能电池设备整线供给能力。经多次技术换代及升级，国产的太阳能电池及组件生产线关键生产设备如硅片清洗机、8英寸扩散炉、等离子刻蚀机、PSG祛除机、低温烘干炉、高温烧结炉等相继在国内大生产线上替代了进口设备，并取得了广泛的应用。

中国科学院微电子所合作项目荣获北京市科学技术奖

由中科院微电子所微电子设备技术研究室作为合作单位之一，承担完成的“100纳米高密度等离子刻蚀机研发与产业化”项目获得了2008年北京市科技进步一等奖。

我国集成电路高端装备自主化取得新突破

由北方微电子公司自主研发的12英寸28rim等离子硅刻蚀机，已经全面通过中芯国际集成电路制造有限公司的生产线全流程工艺验证，并获得客户订单。这标志着中国集成电路高端装备自主化取得了新的突破，并缩短了与国际一流设备的差距。等离子刻蚀机是在硅片表面实现三维精细加工的高端设备，是集成电路制造中最核心的装备之一。