RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜

采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。

宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。

无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用

研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。

PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析

对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空气压、衬底工作温度的变化关系。

基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术

提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。

PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。

发光、荧光材料

O482.31 96032029纳米硅/非晶硅多层膜室温可见光致发光研究=Study of photoluminescence in nano-crystallinesilicon/amorphous silicon multilayers[刊,中]/佟嵩,刘湘娜,鲍希茂(南京大学物理系固体微结构物理国家实验室)//半导体学报.-1995,16-(9). 716-720报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化钠米硅(nc-Si:H)/氢化非晶硅(a-Si:H)多层膜中,未经任何后处理工艺,观察到室温可见光致发光。当nc-Si:H层厚度由4.0 nm下降至2.1

边缘处理对硬掩膜很重要

在今天的fab里，因为先进光刻技术中使用的光刻胶越来越薄，以及保持刻蚀选择性的需要，硬掩膜越来越司空见惯。Novellus Systems公司设计了一种专用于为前段应用提供有机物化学气相淀积硬掩膜的新工艺。这种系统与众不同之处在于增加了边缘球状物去除（EBR）工艺以减少微粒缺陷、提高芯片边缘的成品率。Novellus电介质事业群产品管理高级总监Julian Hsieh说：“这是我们在客户演示中见到的成品率提高的关键原因。”Novellus在今年三月推向市场的Vector Express等离子体增强化学汽相淀积平台中提供可灰化硬掩膜工艺。

退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明 :分段退火样品在 380nm附近出现了单一激子发射峰 ,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰 ,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。

化合物半导体

利用四乙氧硅烷和 CF4的等离子增强化学汽相淀积合成出了掺氟二氧化硅薄膜,并利用施加短时高压脉冲的方法测量了其介电击穿现象。结果说明,含有较大数量氟的薄膜的介电强度较高。从各种不同观点,讨论了其原因;介绍了两种有说服力的机理。