干法等离子去胶

本文主要介绍干法等离子去胶技术,包括去胶原理、方法、设备等,并且分析了等离子去胶引起的各种损伤机理,提出剥离问题及解决办法。

氧气流向对等离子去胶的影响

对微晶玻璃和陶瓷上的光刻胶进行去胶工艺,工艺要求采用等离子清洗设备进行非加热干法去胶。由于等离子去胶工艺主要以与聚合有机物发生化学反应为主,相比于等离子清洗,对工艺气体排布要求更高,采用传统等离子清洗的工艺气体排布无法满足去胶效果需求。通过对氧气流向的实验研究,得出氧气流向对去胶效果的影响。

等离子去胶机的结构原理与维护调试和故障分析

以单片去胶设备为例,介绍了等离子去胶机的结构原理,对其维护标准和调试方法进行了详细阐述,对常见的故障和解决方法进行了总结,最后针对射频自动匹配模块分析了典型维修案例。

温度与压力对等离子去胶工艺的影响

等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤,等离子去胶采用传统的等离子清洗工艺无法满足去胶的效果与指标,因此,通过对腔体的温度与压力的实验研究,得出温度与真空压力在去胶清洗工艺的重要作用。

超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展

介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。

氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化

文章描述了氧等离子干法剥离光刻胶中MOS器件的性能退化问题,并且制备了不同天线比AR(AntennaRatio),相同器件结构的NMOS器件来检测器件的退化。实验结果发现栅漏电流密度Jg和阈值电压Vt漂移会随着Al的天线面积的增加而非线性地增加,尤其表现在阈值电压漂移上。运用增加电流应力时间的测试来模拟器件在等离子反应腔中所受的实际应力,发现了与天线比增加时阈值电压变化趋势相同,表明在氧等离子气氛中器件受到了负电应力的影响。最后,基于此次实验的结果,在器件的设计,工艺参数的制定方面提出了一些减小干法剥离光刻胶工艺带来器件性能退化的建议。

干法刻蚀工艺与设备

对比干法刻蚀和湿法腐蚀,说明干法刻蚀在半导体电子工艺中的重要性。以DIENER等离子去胶机为例,介绍干法刻蚀的工艺和设备。

光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案

针对由金属-绝缘体-金属（MIM）电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施。采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而未经MIM光刻返工的样品均未发现介质层有异常。由于MIM金属层光刻返工时,经过等离子体去胶和EKC溶液清洗表面易对电容介质层造成损伤,引起极板间短路,进而影响器件性能。实验结果表明,采用有机显影溶剂去胶来取代等离子体去胶,可有效改善光刻返工引起的电介质层损伤。采用该方法返工两次以内的成品率均不受影响。同时发现MIM电容层上的钨塞孔链密度在一定程度上影响失效率,分析认为高孔链密度样品更易受到后续孔刻蚀工艺的强电场影响。

粉浆法制备平面荧光粉涂层白光LED的技术改进

基于粉浆法制备白光LED能得到厚度可控的荧光粉层,改善了白光LED的均匀性。由于芯片长时间工作时表面的发热以及回流焊时的瞬间高温环境,聚乙烯醇(PVA)感光胶的颜色容易发生改变,影响了白光LED光效的稳定性。本文采用等离子体去胶,实验结果表明,通过该方法能有效去除感光胶,处理后的LED不会因为长时间工作荧光粉表面涂层的变色而引起光效的明显下降,同时表面的荧光粉涂层仍然为平面涂层,保证了白光的均匀性。