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低温等离子体轰击法对薄膜高分子聚合体表面特性影响的研究 被引量:1
1
作者 魏建华 Masao Yoshinari +4 位作者 马威 张浚睿 封兴华 刘宝林 Yutaka Oda 《实用口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期525-528,共4页
目的:研究使用氧和氮等离子体轰击法对六甲基二硅氧烷(硅醚)聚合体表面特性的影响。方法:使用薄膜等离子体聚合法在圆形盖玻片表面生成六甲基二硅氧烷薄膜聚合体,然后用低温氧和氮等离子体轰击聚合体表面,测量不同轰击时间对薄膜聚合体... 目的:研究使用氧和氮等离子体轰击法对六甲基二硅氧烷(硅醚)聚合体表面特性的影响。方法:使用薄膜等离子体聚合法在圆形盖玻片表面生成六甲基二硅氧烷薄膜聚合体,然后用低温氧和氮等离子体轰击聚合体表面,测量不同轰击时间对薄膜聚合体表面润湿性、粗糙度、表面形貌的影响,用XPS检测表面基团组成的变化。结果:六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面经过氧及氮低温等离子体轰击后,随着轰击时间的延长,聚合体表面接触角显著降低,XPS结果表明O/C比例显著上升,显示COOH基团增多。结论:氧和氮等离子体轰击法可以明显增加六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面亲水基团的含量,表现为表面润湿性显著增高。 展开更多
关键词 表面特性 等离子体聚合物 接触角 等离子轰击
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铜合金的脉冲等离子爆炸轰击表面处理 被引量:1
2
作者 严意宏 胡强 +6 位作者 余玖明 付青峰 张林伟 胡曹生 毛文龙 欧阳有根 曾燮榕 《热处理技术与装备》 2018年第1期14-18,共5页
利用脉冲等离子爆炸轰击对紫铜、碳化钨铜、铍镍铜、铍钴铜、铬铜和铬锆铜进行了表面处理,采用扫描电镜、X射线衍射分析表面形貌和物相变化,并测量了表面显微硬度。结果表明处理后各样品表面均出现微量的W和W2N,以及较为明显的炭黑。样... 利用脉冲等离子爆炸轰击对紫铜、碳化钨铜、铍镍铜、铍钴铜、铬铜和铬锆铜进行了表面处理,采用扫描电镜、X射线衍射分析表面形貌和物相变化,并测量了表面显微硬度。结果表明处理后各样品表面均出现微量的W和W2N,以及较为明显的炭黑。样品接地轰击一次时表面硬度明显下降,多次轰击后硬度有所提高,但与基体硬度相差不大,且重熔形成的熔瘤使表面粗糙度明显增加。样品不接地时比接地时硬度明显提高,且高于基体硬度。 展开更多
关键词 脉冲等离子爆炸轰击 铜合金 表面硬度
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用射频等离子体轰击法向无定形类金刚石碳膜掺氮
3
作者 彭补文 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第12期61-61,共1页
关键词 射频等离子轰击 无定形类金刚石碳膜 化学气相沉积 掺氮 镀膜
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用射频等离子体轰击法向定形类金刚石碳膜掺氮
4
《热处理》 CAS 2002年第4期44-44,共1页
关键词 射频等离子轰击 定形类金刚石 碳膜 掺氮
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氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响
5
作者 魏芹芹 何建廷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期24087-24090,共4页
对机械剥离在SiO2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀,通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进... 对机械剥离在SiO2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀,通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀,从而实现逐层刻蚀石墨烯。另外,氧等离子体轰击的过程在做了金属电极的石墨烯中引入金属颗粒等其它物质,这几方面的原因最终导致在氧等离子体刻蚀石墨烯的过程中石墨烯的两端电导呈现近似线性的减小,石墨烯出现n型掺杂效应。 展开更多
关键词 石墨烯 等离子轰击 缺陷 电学特性 拉曼光谱
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钴原子团簇用于高效氧还原反应 被引量:1
6
作者 于彦会 饶鹏 +7 位作者 封苏阳 陈民 邓培林 李静 苗政培 康振烨 沈义俊 田新龙 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第8期135-142,共8页
探索非贵金属材料作为高效氧还原反应催化剂是迫切需要的,但具有一定的挑战性。本文采用等离子体轰击和酸洗相结合的策略合成了Co原子团簇修饰的多孔碳载体催化剂(CoAC/NC)。通过多种表征手段证实了的原子团簇特征。所得到的CoAC/NC催... 探索非贵金属材料作为高效氧还原反应催化剂是迫切需要的,但具有一定的挑战性。本文采用等离子体轰击和酸洗相结合的策略合成了Co原子团簇修饰的多孔碳载体催化剂(CoAC/NC)。通过多种表征手段证实了的原子团簇特征。所得到的CoAC/NC催化剂在三电极体系和锌-空电池方面都表现出优异的氧还原反应活性。该催化剂的氧还原反应半波电位为0.887 V,显著优于商业Pt/C催化剂,且表现出优异的稳定性。此外,该催化剂组装的锌-空电池的峰值功率密度为181.5 m W·cm^(-2),同样远高于Pt/C催化剂。这项工作不仅合成了一种高效的氧还原反应催化剂,而且为原子团簇催化剂的理性设计和实际应用提供了新的见解。 展开更多
关键词 原子团簇催化剂 电催化剂 等离子轰击 钴团簇 氧还原反应
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纳米微电极研究进展 被引量:4
7
作者 梁汉璞 赵燕 +1 位作者 张亚利 焦奎 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第2期67-73,共7页
综述了纳米微电极的制作方法 ,表征方法 ,基本理论和纳米微电极在纳米传感器 ,电化学动力学研究 ,伏安检测 ,修饰纳米微电极 ,成像探针 。
关键词 纳米微电极 电化学 超微电极 制作方法 表征方法 纳米压印-起离法 等离子轰击 模板法
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HT-7U石墨材料在HT-7超导托卡马克装置的先行实验 被引量:8
8
作者 胡建生 李建刚 +5 位作者 曾敏 辜学茂 张晓东 万宝年 龚先祖 陈俊凌 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期245-249,共5页
通过对 1种新型石墨材料进行等离子体轰击实验 ,近似计算出材料的热导率大约为 70W /m·K ,石墨可以承受高达 2 41MW/m2 的能流密度 (实验中最大值 )。模头位置及波加热条件下 ,石墨受等离子体轰击程度的不同 ,主要与轰击粒子能量... 通过对 1种新型石墨材料进行等离子体轰击实验 ,近似计算出材料的热导率大约为 70W /m·K ,石墨可以承受高达 2 41MW/m2 的能流密度 (实验中最大值 )。模头位置及波加热条件下 ,石墨受等离子体轰击程度的不同 ,主要与轰击粒子能量有关。在等离子体能量梯度方向改变石墨位置比增加等离子体能量更易达到大的能流轰击。石墨材料的抗轰击能力及抗溅射能力都比较好 ,在长时间等离子体轰击情况下 ,由石墨材料产生的杂质足够低 ,不影响等离子体放电 。 展开更多
关键词 石墨 热导率 能流 杂质 HT-7U超导托卡马克装置 等离子轰击实验
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用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs 被引量:1
9
作者 黄伟 王胜 +1 位作者 张树丹 许居衍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期463-468,共6页
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿... 首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 四氟化碳等离子轰击 增强型 击穿电压 源场板 比导通电阻
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HT-7超导托卡马克第一壁硼碳膜的XPS分析
10
作者 方应翠 张晓东 +2 位作者 辜学茂 王小明 何也熙 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2002年第4期595-598,共4页
通常在托卡马克第一壁沉积 1层硼碳膜 ,以降低托卡马克等离子体的氧杂质。现在 H T-7第一壁位置处放置几个石墨和不锈钢基体样品 ,与 H T-7一起硼化 ,硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击 ,通过对鲜膜和轰... 通常在托卡马克第一壁沉积 1层硼碳膜 ,以降低托卡马克等离子体的氧杂质。现在 H T-7第一壁位置处放置几个石墨和不锈钢基体样品 ,与 H T-7一起硼化 ,硼化后取出部分样品膜 ,剩余样品留在真空室接受聚变等离子体的轰击 ,通过对鲜膜和轰击膜进行 XPS分析 ,发现膜由硼、碳、氧和铁等元素组成 ,并在膜深度方向上均匀分布 ,在成膜及等离子体轰击过程中 。 展开更多
关键词 HT-7 超导托卡马克 第一壁 硼碳膜 等离子轰击 XPS分析
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高分子聚合体表面润湿性研究模型的建立
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作者 魏建华 封兴华 +5 位作者 Masao Yoshinari 马威 张浚睿 刘宝林 Yutaka ODA 马婕 《牙体牙髓牙周病学杂志》 CAS 2008年第7期393-395,共3页
目的:利用低温等离子体轰击法建立高分子聚合体表面润湿性研究模型。方法:使用氧低温等离子体轰击六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面,测定表面接触角,建立轰击时间-表面接触角曲线,建立线型回归方程。观察在不同介质中保存时材料表面接触角... 目的:利用低温等离子体轰击法建立高分子聚合体表面润湿性研究模型。方法:使用氧低温等离子体轰击六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面,测定表面接触角,建立轰击时间-表面接触角曲线,建立线型回归方程。观察在不同介质中保存时材料表面接触角的变化情况。结果:经过氧等离子体轰击后,六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面接触角明显下降,与处理时间呈现负相关性。在空气中保存时,表面接触角随时间逐渐上升,0度接触角表面24 h后上升为20°左右,而在双蒸水中保存的表面接触角基本保持不变。结论:氧等离子体轰击法能可控性地改变六甲基二硅氧烷薄膜聚合体表面润湿性,处理后的表面在水中接触角保持稳定,该方法可以用来建立表面润湿性研究模型。 展开更多
关键词 等离子轰击 表面润湿性 等离子体聚合物 接触角
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铸铁零件的钛氮碳共渗实验研究
12
作者 郭新华 王秀新 +2 位作者 唐正鸿 李建三 边凤琴 《纯碱工业》 CAS 2002年第5期11-13,共3页
采用等离子轰击扩渗钛、氮、碳技术处理制碱工业设备中的一些易损件 ,经现场实验 ,初见成效。特别是以钛作为触媒催化和共渗剂 ,不但明显地提高了零件的耐磨性 。
关键词 铸铁零件 钛氮碳共渗 研究 等离子轰击 实验
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有机太阳能电池氧化铟锡电极的结晶性能优化
13
作者 张智博 郭新涛 +4 位作者 杨亚楠 刘滢 张博 杨磊 朱嘉琦 《节能技术》 CAS 2020年第1期3-8,共6页
氧化铟锡(In2O3∶Sn)是有机太阳能电池电极的关键材料,但由于In2O3∶Sn薄膜结晶所需的高温沉积条件,衬底的性能会降低,影响了太阳能电池的光电性能。本文在传统磁控溅射工艺中引入了一种新的等离子体轰击技术,以提高氧化铟锡(In2O3∶Sn... 氧化铟锡(In2O3∶Sn)是有机太阳能电池电极的关键材料,但由于In2O3∶Sn薄膜结晶所需的高温沉积条件,衬底的性能会降低,影响了太阳能电池的光电性能。本文在传统磁控溅射工艺中引入了一种新的等离子体轰击技术,以提高氧化铟锡(In2O3∶Sn)薄膜的室温结晶性能。研究了不同脉冲直流电压下等离子体轰击对In2O3∶Sn薄膜光电性能和机械性能的影响。结果表明,当脉冲直流电压(|Vp|)高于|-500 V|(|Vp|>|-500 V|)时,薄膜的结晶性明显增强。在室温下制备了厚度为135 nm的In2O3∶Sn薄膜,其电阻率为4.11×10^-4Ωcm,迁移率为42.1 cm^2/Vs,可见光透过率超过80%。与未经等离子体轰击的In2O3∶Sn薄膜相比,经等离子体轰击的In2O3∶Sn薄膜具有更好的结晶性能和更高的纳米硬度。优化后的In2O3∶Sn薄膜可有效提升有机太阳能电池的填充因子和转换效率,该材料还可应用于隔热涂层和气体传感器等节能与环保领域。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 氧化铟锡 等离子轰击 结晶 光电性能
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其它材料
14
《电子科技文摘》 2001年第11期10-11,共2页
Y2001-62909-138 0118302电镀 Cu 与 Ni 上 Sn<sub>63</sub>Pb<sub>37</sub>的界面微结构和机械疲劳行为=Interface microstructure and mechanical fatigue be-havior of Sn<sub>63</sub>Pb<su... Y2001-62909-138 0118302电镀 Cu 与 Ni 上 Sn<sub>63</sub>Pb<sub>37</sub>的界面微结构和机械疲劳行为=Interface microstructure and mechanical fatigue be-havior of Sn<sub>63</sub>Pb<sub>37</sub>on electroplated Cu and Ni[会,英]/Zhang,C.& Shang,J.K.//2000 IEEE 50th Elec-tronic Components & Technology Conference.—138~141(PC)0118303高阻尼铝基复合材料在海水中的腐蚀行为[刊]/刘维镐//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—195~198(E) 展开更多
关键词 铝基复合材料 功能材料 腐蚀行为 界面微结构 疲劳行为 薄膜 高阻尼 真空科学 等离子轰击 技术学
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失效物理
15
《电子科技文摘》 1999年第12期3-3,共1页
HT-7超导托卡马克采用原位气相沉积法在其内真空室第一壁沉积一层含硼膜。在与第一壁同样径向位置处放了几个不锈钢和石墨样品,以取样第一壁上沉积的鲜膜和经过等离子体轰击的轰击膜,并对它们进行扫描电镜分析。扫描电镜图反映了硼化膜... HT-7超导托卡马克采用原位气相沉积法在其内真空室第一壁沉积一层含硼膜。在与第一壁同样径向位置处放了几个不锈钢和石墨样品,以取样第一壁上沉积的鲜膜和经过等离子体轰击的轰击膜,并对它们进行扫描电镜分析。扫描电镜图反映了硼化膜的形貌和等离子体对第一壁的多种作用,从而充分地证实了膜对第一壁的保护作用。 展开更多
关键词 第一壁 超导托卡马克 气相沉积法 扫描电镜分析 等离子轰击 硼化膜 扫描电镜图 径向位置 不锈钢 真空室
原文传递
Effects of ion bombardment on microcrystalline silicon growth by inductively coupled plasma assistant magnetron sputtering
16
作者 HE YangYang SU YuanJun +2 位作者 ZHU Ming CAO BaoSheng DONG Bin 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第11期2070-2075,共6页
Hydrogenated microcrystalline silicon (mc-Si:H) thin films were deposited by inductively coupled plasma assistant magnetron sputtering (ICP-MS) in an Ar-H2 gas mixture. The role of ion bombardment in the growth o... Hydrogenated microcrystalline silicon (mc-Si:H) thin films were deposited by inductively coupled plasma assistant magnetron sputtering (ICP-MS) in an Ar-H2 gas mixture. The role of ion bombardment in the growth of mc-Si:H films was studied with increasing negative bias voltages on the substrate holder from 0 to -100 V. Raman scattering, X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM) were performed to investigate the microstructure changes of deposited Si films. Raman scattering showed that the high energy ion bombardment resulted in crystalline degradation of Si films. The XRD results showed the decrease and even elimination of preferential growth orientation of crystalline Si films with ion bombardment energy increase. The SiH bonding configuration changes and the increase of bonded hydrogen concentration were determined with the analysis of FTIR spectra. Furthermore, the dramatic evolution of cross-sectional morphology of Si thin films was detected by TEM observation. 展开更多
关键词 hydrogenated microcrystalline silicon ion bombardment magnetron sputtering silicon-hydrogen bonding configuration
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