应用等离子体辉光监控反馈控制反应气体流量制备VO_2薄膜的研究（英文）

采用等离子体辉光监控系统（PEM）反馈控制反应溅射过程,在石英基底上制备出单斜相VO_2薄膜,并研究了反馈控制下反应溅射的等离子体相对辉光强度与氧气流量的关系。实验结果表明：在不同的反应压强（0.8 Pa、0.5 Pa、0.2 Pa）下,通过调整相对辉光强度值（REI）均可稳定获得单斜相VO_2薄膜,对应的REI值分别为0.6~0.65、0.65、0.6。XRD测试结果表明VO_2薄膜具有明显的（011）晶面取向,XPS测试结果表明薄膜的化学计量比为VO_（2.02）。VO_2薄膜在2.5μm处的变温透过率测试结果显示薄膜在相变前后的透过率变化达到65%,相变温度确定为66℃。

等离子体辉光发射反馈监控技术在光学薄膜中的应用

目前光学减反光膜、光学装饰膜等广泛应用于消费电子行业,这些光学膜主要采用电子束蒸发和反应磁控溅射等方式制造。传统的反应磁控溅射光学膜具有致密度高、附着力好、颜色稳定等优点,但过氧态沉积速率低,生产效率不高。本文利用等离子体辉光发射监控技术(PEM)来稳定控制中频反应溅射过程中的靶状态,使靶材稳定在过渡态镀膜,既提高沉积速率,又不影响光学性能。实验结果表明,采用PEM反馈控制中频反应溅射制备氧化铌薄膜,777 nm处氧辉光强度设定值为40%时(过氧态标定为90%),沉积速率较传统的过氧态提高1-2倍;采用靶电压反馈控制中频反应溅射制备氧化硅薄膜,靶电压设定值为29%时(纯硅靶电压标定为90%),其沉积速率是过氧态的2～3倍。可见光透过率曲线显示没有明显增加吸收。按照此设定值制备4层AR膜,单炉镀膜时间由原来的2.3 h(过氧态镀膜)缩减到1 h,产能提高1倍以上。