VDMOS单粒子效应简化电路模型研究

通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。

一个电路模型展示的V型阵发特征

观察一个用比较器控制的、有模拟开关的 RLC电路简化模型 ,发现由周期运动向混沌转变的 V型阵发道路广泛地存在 .这类系统中的 V型阵发有两个特点 :1系统进入混沌之前展示的 V型阵发前奏锁相阶梯同时包含类似传统魔梯和多重魔梯的结构 ;

基于简化电阻电容电路的单粒子效应应用研究

随着器件尺寸缩小至纳米级,微观粒子对半导体器件的影响变得越来越明显。器件可靠性的研究近年来逐渐引起了人们的重视,开展了很多相关研究。以研究单粒子翻转效应为核心,在传统混合仿真的基础上,采用简化RC电路模型对简化电路的应用进行研究,总结了电阻和电容值变化对等效电路中敏感节点处电学特性变化的规律,探究了使用Id-Vd曲线判断单粒子翻转的准确性,提出了在研究临位翻转时,通过单次实验即可有效预测临位翻转情况的方法。根据实验所得的电压电流曲线图形特点对它们进行分类,从而判断临位翻转。通过模拟实验与预测结果比对,两者的结果相符,预测有较高准确性。

SPWM-2H桥逆变器直流侧等效模型

在以SPWM-2H桥作为逆变器的AC/DC/AC变流系统中,逆变器作为系统直流侧的负载,其动静态行为,对其前端变流系统的建模仿真、控制方法与动静态性能研究具有重要的影响。因此,有必要对其直流侧等效模型进行研究,从而揭示其作为前端变流系统的负载特性。文章在建立SPWM-2H桥逆变器数学模型的基础上,推导出了逆变器直流侧等效数学模型。最后通过相关的仿真与实验工作,验证了本文所建立的SPWM-2H桥逆变器直流侧等效模型及其简化等效电路模型的正确性。

特高压变压器空载直流偏磁计算精度分析

针对特高压变压器直流偏磁计算问题,提出一种空载简化电路模型下的分段解析法,为直流偏磁数值计算奠定基础。根据特高压变压器简化电路模型,推导励磁电流解析式。电感随着电流的变化,分两段取值;电感的取值通过比较电流计算值与临界电流值的大小来判断。设置临界电流误差判据来判别电流计算值是否达到临界电流。分析计算表明,当电阻为实际电阻时,临界电流误差判据严格,可获得直流分量的准确解,临界电流误差判据宽松时,直流分量与准确解出现较大误差,甚至计算错误;通过人为增大串联电阻值,临界电流误差判据可相对宽松,从而获得直流分量近似准确解。在此基础上,以解析解的计算结果为基准,对比分析四阶龙格库塔法数值解。结果表明,步长较大相当于临界电流误差判据宽松,必须加大电阻,直流分量才可与准确解接近;步长较小相当于临界电流误差判据严格,电阻可不必太大。在特高压变压器直流偏磁数值计算中,可通过人为增大串联电阻值和适当减小计算步长来获得较为准确的直流偏磁特性。

3×4MVA中频炉谐波测量与分析

中频感应加热炉(简称中频炉)是一种快速稳定的金属加热装置,由于中频炉内部具有变频装置及其功率较大等特点,所以对公共电网注入的谐波不可忽视。本文通过中频炉负载支路谐波数据的测量与分析,根据谐波可由傅立叶级数分解的特点,建立了一种谐波源简化电路模型。利用saber仿真软件构建了谐波源简化电路模型,验证了简化模型在工程应用上的可行性。在软件仿真平台上可方便的设定滤波器和无功补偿装置的参数,便于滤波器和无功补偿装置的设计。