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Sb2Se3管状化合物的制备和表征
1
作者
姜文娟
凌云
+1 位作者
李志华
程晓农
《纳米科技》
2008年第6期53-57,共5页
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11....
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11.6445A,b=11.792A,c=3.981A,;透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长;DSC测试Sb2Se3的熔点为624.5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料,并用XRD和Raman表征测试了晶体结构.
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关键词
固相法
管状sb2se3
硫系化合物
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职称材料
题名
Sb2Se3管状化合物的制备和表征
1
作者
姜文娟
凌云
李志华
程晓农
机构
江苏大学材料学院
出处
《纳米科技》
2008年第6期53-57,共5页
文摘
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11.6445A,b=11.792A,c=3.981A,;透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长;DSC测试Sb2Se3的熔点为624.5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料,并用XRD和Raman表征测试了晶体结构.
关键词
固相法
管状sb2se3
硫系化合物
Keywords
solid-state method
tube-like
sb
2
se
3
chalcogenide
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sb2Se3管状化合物的制备和表征
姜文娟
凌云
李志华
程晓农
《纳米科技》
2008
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