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GaN功率器件应用可靠性增长研究
被引量:
4
1
作者
江元俊
王卫华
郑新
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期62-67,共6页
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以...
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以及GaN管芯的沟道温度的高低是影响GaN功率器件长期应用可靠性的主要因素,同时给出了降低漏源过冲电压、提高栅源电压稳定性以及改善GaN管芯的沟道温度的措施和方法。
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关键词
GaN功率器件
应用可靠性
漏源偏置电压
电压过冲
栅流
管芯结温
加速寿命试验
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职称材料
题名
GaN功率器件应用可靠性增长研究
被引量:
4
1
作者
江元俊
王卫华
郑新
机构
中国电子科技集团公司第十四研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期62-67,共6页
文摘
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以及GaN管芯的沟道温度的高低是影响GaN功率器件长期应用可靠性的主要因素,同时给出了降低漏源过冲电压、提高栅源电压稳定性以及改善GaN管芯的沟道温度的措施和方法。
关键词
GaN功率器件
应用可靠性
漏源偏置电压
电压过冲
栅流
管芯结温
加速寿命试验
Keywords
GaN power devices
work reliability
drain-source bias-voltage
voltage overshoot
gate current
transistor chip junction-temperature
accelerated life test
分类号
TN957 [电子电信—信号与信息处理]
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
GaN功率器件应用可靠性增长研究
江元俊
王卫华
郑新
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023
4
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