不同温度条件对下丘脑神经元K^+单离子通道簇状开放的影响

目的 :探讨温度对下丘脑神经元电压依赖性K+ 单离子通道 (Kv)簇状开放 (Burstopening)的影响。 方法 :采用膜片钳细胞贴附式技术观察和记录 32℃、37℃和 39℃时下丘脑神经元Kv的活动。结果 :温度升高 ,单位时间内记录到的Burst开放明显增多 ,平均开放间期变长。当温度从 32℃升至 39℃ ,B1从 1.5ms升至 8.1ms ,B2 从 6 .6ms升至 83.2ms,Burst内部开放数目也由 1～ 2个升至 8个 ,从以简单Burst开放 (SB)为主转变成以复杂Burst开放(CB)占优势。结论 :温度升高 ,下丘脑神经元上IK 通道更多地处于活动状态 ,这可能有利于下丘脑神经元对体温变化的调节。

温度诱导的下丘脑神经元Kv簇状开放的特性

采用膜片钳细胞贴附式技术 ,观察和记录了32℃、37℃和39℃时下丘脑神经元电压依赖性K +单离子通道 (Kv)的活动 ,探讨Kv簇状开放 (Burstopening)与开放概率的关系。结果表明 ,温度升高时 ,单位时间内记录到的Burst开放明显增多 ,开放概率NPo从37℃时的0.175±0.124升至39℃时的0.696±0.187(P<0.01)。明显影响NPo的Burst开放有关参数包括Burst内部的开放数目和两个Burst开放的间期。温度升高 ,Burst开放内部开放数目增多 ,两个Burst开放间期明显缩短 。