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生长在类单晶硅片上的Ni81Fe19薄膜的微结构和磁性能研究
被引量:
1
1
作者
王禹
邹帅
+4 位作者
徐思晨
朱齐山
彭斌
张万里
汤如俊
《应用物理》
CAS
2019年第6期300-304,共5页
本文研究了生长在类单晶硅片上Ni81Fe19薄膜的微观结构和磁学性能。结果表明Ni81Fe19的表面形貌与类单晶硅片的表面形貌一致,具有高度的织构取向。Ni81Fe19的矫顽力与剩磁比随薄膜厚度的增加而增加。其厚度达到40 nm后,其矫顽力与剩磁...
本文研究了生长在类单晶硅片上Ni81Fe19薄膜的微观结构和磁学性能。结果表明Ni81Fe19的表面形貌与类单晶硅片的表面形貌一致,具有高度的织构取向。Ni81Fe19的矫顽力与剩磁比随薄膜厚度的增加而增加。其厚度达到40 nm后,其矫顽力与剩磁比达到饱和。对薄膜进一步的真空退火的结果显示薄膜的磁性无显著变化,这表明其磁性主要由基板的表面微结构而不是制备条件决定。上述结果有助于在类单晶硅器件上更好地集成Ni81Fe19薄膜。
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关键词
类单晶硅片
NIFE
磁性
下载PDF
职称材料
题名
生长在类单晶硅片上的Ni81Fe19薄膜的微结构和磁性能研究
被引量:
1
1
作者
王禹
邹帅
徐思晨
朱齐山
彭斌
张万里
汤如俊
机构
苏州大学物理科学与技术学院
加拿大太阳能公司
电子科技大学
出处
《应用物理》
CAS
2019年第6期300-304,共5页
基金
科技部国家重点研发计划项目(No.2017YFB0406401)。
文摘
本文研究了生长在类单晶硅片上Ni81Fe19薄膜的微观结构和磁学性能。结果表明Ni81Fe19的表面形貌与类单晶硅片的表面形貌一致,具有高度的织构取向。Ni81Fe19的矫顽力与剩磁比随薄膜厚度的增加而增加。其厚度达到40 nm后,其矫顽力与剩磁比达到饱和。对薄膜进一步的真空退火的结果显示薄膜的磁性无显著变化,这表明其磁性主要由基板的表面微结构而不是制备条件决定。上述结果有助于在类单晶硅器件上更好地集成Ni81Fe19薄膜。
关键词
类单晶硅片
NIFE
磁性
分类号
O48 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
生长在类单晶硅片上的Ni81Fe19薄膜的微结构和磁性能研究
王禹
邹帅
徐思晨
朱齐山
彭斌
张万里
汤如俊
《应用物理》
CAS
2019
1
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职称材料
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