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类四方BiFeO_(3)薄膜中新型极化拓扑结构研究
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作者 陈双杰 唐云龙 +1 位作者 朱银莲 马秀良 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期424-432,共9页
结合像差校正透射电子显微术和精密脉冲激光沉积技术,本文研究了生长在LaAlO_(3)衬底上的单层铁电BiFe_(3)薄膜中应变调控和缺陷诱导的极化涡旋拓扑畴组态。HAADF⁃STEM成像揭示了薄膜中的层状BiO^(+)面缺陷有助于稳定畴壁面为(100)型的... 结合像差校正透射电子显微术和精密脉冲激光沉积技术,本文研究了生长在LaAlO_(3)衬底上的单层铁电BiFe_(3)薄膜中应变调控和缺陷诱导的极化涡旋拓扑畴组态。HAADF⁃STEM成像揭示了薄膜中的层状BiO^(+)面缺陷有助于稳定畴壁面为(100)型的类180°畴结构,并在这种新型的180°畴壁和LaAlO_(3)界面相交区域诱导形成了半涡旋和极化涡旋拓扑结构。 展开更多
关键词 半涡旋-涡旋 180°畴壁 像差校正电子显微学 四方bifeo_(3)薄膜
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