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基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟
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作者 王彦刚 许铭真 +1 位作者 谭长华 段小蓉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期735-740,共6页
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和... 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式. 展开更多
关键词 软击穿 超薄栅氧化层 类渗流导电 电流模拟
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