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纳米永磁晶粒边界类磁畴壁的形成与剩磁增强效应
被引量:
3
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作者
梁军
赵国平
孙明俊
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2006年第3期37-39,共3页
纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域。假设过渡区内的磁矩在方向上呈线性分布,由总能量取极小值的条件得到过渡区的宽度和剩磁的解析公式,能够很好地解释各向同性纳米磁体的剩磁增强效应。
关键词
纳米
磁
体
类磁畴结构
剩
磁
增强效应
解析公式
下载PDF
职称材料
题名
纳米永磁晶粒边界类磁畴壁的形成与剩磁增强效应
被引量:
3
1
作者
梁军
赵国平
孙明俊
机构
四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所
出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2006年第3期37-39,共3页
文摘
纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域。假设过渡区内的磁矩在方向上呈线性分布,由总能量取极小值的条件得到过渡区的宽度和剩磁的解析公式,能够很好地解释各向同性纳米磁体的剩磁增强效应。
关键词
纳米
磁
体
类磁畴结构
剩
磁
增强效应
解析公式
Keywords
nanostructured permanent magnets
domain-wall like structure
remanence enhancement
analytical formulae
分类号
TM271.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
O482.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米永磁晶粒边界类磁畴壁的形成与剩磁增强效应
梁军
赵国平
孙明俊
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
2006
3
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职称材料
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