类锂和类铍原子的解析波函数与能量的变分计算

采用变分法对类锂和类铍原子进行了系统研究,计算了解析波函数中的最佳参数、正交归一化系数、电子径向分布的最可几半径及能量值,其结果比前人的计算结果更接近实验值.

类铍离子1s^22s2p^3P态精细结构的计算

利用不可约张量理论导出了类铍离子态精细结构(包括自旋-自旋、自旋-其它轨道以及轨道-轨道相互作用)的解析表达式,完成所有角向积分、自旋求和的计算,使类铍离子1s22s2p3P态精细结构能级最终可以表示为径向积分之和,从而得到了对应能级的精细结构的理论计算值,计算结果与实验观测值误差小于0.08%.

中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析

利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。