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氢化非晶硅薄膜类TO模的喇曼特征
被引量:
1
1
作者
程光煦
陈坤基
+2 位作者
夏桦
张维
张杏奎
《南京大学学报(自然科学版)》
CSCD
1994年第3期444-450,共7页
文中给出了不同制备衬底温度(Ts)氢化非晶硅薄膜的喇曼谱,对类TO模(T—likemode)的喇曼峰位形变化特征及与之相应的物理结果给出了较详细的讨论:惯用描述Si-Si原子间互作用的莫尔斯(Morse)势,在α─S...
文中给出了不同制备衬底温度(Ts)氢化非晶硅薄膜的喇曼谱,对类TO模(T—likemode)的喇曼峰位形变化特征及与之相应的物理结果给出了较详细的讨论:惯用描述Si-Si原子间互作用的莫尔斯(Morse)势,在α─Si:H结构中已不再适用,需由Terosff势取代.此外,还简述了出现LO,LA振动模式的可能结构及其物理机制.最后,给出了新结构序参量C(非谐性势V(r)n=0,1,2,…中四次方项系数与三次方项系数之比)与结构间的关联.这些都进一步地揭示了氢化非晶硅膜结构的特征.
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关键词
氢化非晶硅
类to模
薄膜
散射谱
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职称材料
题名
氢化非晶硅薄膜类TO模的喇曼特征
被引量:
1
1
作者
程光煦
陈坤基
夏桦
张维
张杏奎
机构
南京大学现代分析中心
出处
《南京大学学报(自然科学版)》
CSCD
1994年第3期444-450,共7页
文摘
文中给出了不同制备衬底温度(Ts)氢化非晶硅薄膜的喇曼谱,对类TO模(T—likemode)的喇曼峰位形变化特征及与之相应的物理结果给出了较详细的讨论:惯用描述Si-Si原子间互作用的莫尔斯(Morse)势,在α─Si:H结构中已不再适用,需由Terosff势取代.此外,还简述了出现LO,LA振动模式的可能结构及其物理机制.最后,给出了新结构序参量C(非谐性势V(r)n=0,1,2,…中四次方项系数与三次方项系数之比)与结构间的关联.这些都进一步地揭示了氢化非晶硅膜结构的特征.
关键词
氢化非晶硅
类to模
薄膜
散射谱
Keywords
Hydrogenated amorphous Silicon, TO-like mode, Raman.
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢化非晶硅薄膜类TO模的喇曼特征
程光煦
陈坤基
夏桦
张维
张杏奎
《南京大学学报(自然科学版)》
CSCD
1994
1
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