温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP_2晶体

针对高温熔体生长的ZnGeP2（ZGP）晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度（945℃左右）生长出20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16~0.3 cm-1之间。但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究。