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籽晶粒径分布对高效多晶硅晶体生长的影响 被引量:6
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作者 戚凤鸣 张兆玉 +2 位作者 钟根香 周绪成 黄新明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期54-58,共5页
采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著。籽晶粒径在1~4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1mm时... 采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著。籽晶粒径在1~4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1mm时,细小的形核点也会影响晶体中的位错密度和少子寿命。对应电池片效率的结果也验证了该结论。 展开更多
关键词 高效多晶硅 半熔引晶 籽晶粒径分布 位错密度
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