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题名籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响
被引量:3
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作者
毛开礼
徐伟
王英民
田牧
王利忠
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机构
中国电子科技集团公司第二研究所
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出处
《电子工艺技术》
2011年第6期367-369,共3页
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文摘
空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。
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关键词
SIC单晶
空洞
籽晶粘接
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Keywords
SiC crystal
Hexgenal hole
Seed mounting
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分类号
TN604
[电子电信—电路与系统]
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题名SiC单晶生长中的籽晶制备工艺
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作者
王毅
师开鹏
靳丽岩
武昕彤
王殿
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机构
中国电子科技集团公司第二研究所
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出处
《电子工艺技术》
2024年第2期51-54,共4页
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文摘
作为碳化硅单晶生长的基础条件,籽晶制备质量直接决定了晶体是否能够正常生长。综合考虑现行籽晶石墨板粘接法和籽晶悬挂法籽晶固定技术,提出了粘接+悬挂的籽晶制备方法,研究了籽晶碳膜制备工艺和晶片/石墨纸粘接工艺,获得了一片高致密性碳化硅籽晶。经过碳化硅晶体生长验证,该籽晶能够满足高质量碳化硅晶体生长要求,晶体籽晶面光滑无析出物。
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关键词
碳化硅
单晶
籽晶粘接
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Keywords
SiC
single crystal
seed crystal bonding
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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