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模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜
被引量:
3
1
作者
陈心园
黄建
+2 位作者
邓伟
王维
周筑文
《贵州师范学院学报》
2014年第9期75-79,共5页
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体...
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。
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关键词
粒子模拟实验
硅烷
笑气
二氧化硅
等离子体加强化学沉积(PECVD)
SIO2薄膜
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职称材料
题名
模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜
被引量:
3
1
作者
陈心园
黄建
邓伟
王维
周筑文
机构
贵州师范学院物理与电子科学学院
出处
《贵州师范学院学报》
2014年第9期75-79,共5页
基金
2013年度大学生科研项目:(2013DXS047)
文摘
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。
关键词
粒子模拟实验
硅烷
笑气
二氧化硅
等离子体加强化学沉积(PECVD)
SIO2薄膜
Keywords
particle simulation
silane
nitrous oxide
silica
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
SiO2 thin film
分类号
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜
陈心园
黄建
邓伟
王维
周筑文
《贵州师范学院学报》
2014
3
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