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降低SU-8光刻胶侧壁粗糙度的研究 被引量:3
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作者 张晔 陈迪 +3 位作者 李建华 靖向萌 倪智萍 朱军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期118-121,共4页
SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该... SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该文从造成微结构侧壁粗糙度的原因入手,讨论了各个工艺参数对侧壁粗糙度的影响,并且通过优化工艺参数达到了降低SU-8微结构侧壁粗糙度的目的。 展开更多
关键词 UV-LIGA SU-8 粗糙
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粗糙度对单桩竖向承载变形特性影响的试验研究
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作者 冷伍明 丁荣锋 +4 位作者 杨奇 陈琛 邓煜晨 徐方 阮波 《岩土力学》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1597-1607,共11页
为探究桩侧粗糙度对单桩承载变形特性的影响规律,自主研发了多功能桩基静动力模型试验系统,构建了光滑、随机型及带肋规则型桩侧界面的模型单桩,通过3D形态扫描计算获得了桩侧表面粗糙度Rn,基于此开展了饱和砂土中单桩静载模型试验。试... 为探究桩侧粗糙度对单桩承载变形特性的影响规律,自主研发了多功能桩基静动力模型试验系统,构建了光滑、随机型及带肋规则型桩侧界面的模型单桩,通过3D形态扫描计算获得了桩侧表面粗糙度Rn,基于此开展了饱和砂土中单桩静载模型试验。试验结果表明:(1)粗糙度越大,单桩极限承载力和桩的割线刚度越大,桩顶沉降及其卸载回弹量越小,带肋桩能够有效提高桩基承载力并控制桩顶变形。(2)粗糙度越大,桩侧阻力越大,桩端附近侧阻力的强化效应越明显,桩侧阻力的分布模式随桩顶荷载增大由“单驼峰”到“锥顶柱”再至“斜坡”依次演变。(3)β值(β法中参数)随桩侧粗糙度的增大而增加,随深度增加而衰减。带肋桩的极限侧阻力及β值远大于砂纸和光滑桩,揭示了埋深和粗糙度对β值影响规律的机制。(4)桩侧粗糙度会影响砂土地基中桩端荷载传递函数类型,光滑桩、砂纸桩桩端荷载传递函数呈双曲线型,带肋桩呈直线型。上述研究结果对深刻认识桩侧粗糙度对单桩承载变形特性影响规律和机制具有重要参考价值。 展开更多
关键词 粗糙 模型试验 饱和砂土 阻力 桩端阻力
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绝缘体上硅波导侧壁粗糙度与模式损耗的相关性
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作者 王彬 孙德贵 尚鸿鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期151-157,共7页
绝缘体上硅光波导侧壁粗糙度引起的光损耗是限制硅基集成线路被广泛应用的重要因素之一,利用激光扫描共聚焦显微镜精确测量了SOI波导各相异性分布的侧壁粗糙度,进而将一个三维侧壁粗糙度引入到光波导传输损耗计算的传统理论模型中,获得... 绝缘体上硅光波导侧壁粗糙度引起的光损耗是限制硅基集成线路被广泛应用的重要因素之一,利用激光扫描共聚焦显微镜精确测量了SOI波导各相异性分布的侧壁粗糙度,进而将一个三维侧壁粗糙度引入到光波导传输损耗计算的传统理论模型中,获得了更加精确的模型。数值模拟表明,侧壁粗糙度与波导结构决定的相关长度与侧壁粗糙度对光传输损耗产生同步影响。用法布里-珀罗(F-P)腔调制谐振输出方法测量光波导传输损耗,测量结果与数值计算结果非常吻合,说明各相异性粗糙度分布的测量精度及其引起的光传输损耗的理论模型具有很高的可信度。一条4μm脊宽SOI波导,当侧壁粗糙度在水平和垂直方向的平均值分别为22 nm和23 nm时,对于TE-和TM-模式,计算获得的传输损耗均为4.5~5.0 dB/cm,实验获得的平均光传输损耗为4.3 dB/cm。本文研究结果与结论对SOI光波导器件的研究与开发具有参考价值。 展开更多
关键词 绝缘体上硅波导 粗糙 相关长度 光传输损耗 光损耗测量
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剪叶、粘叶处理对水稻剑叶主脉两侧SPAD值及籽粒产量的影响 被引量:8
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作者 李杰 冯跃华 +8 位作者 牟桂婷 许桂玲 黄世凤 石欣 罗强鑫 罗康杰 管正策 叶勇 黄佑岗 《中国稻米》 2018年第6期40-46,共7页
为了比较水稻剑叶主脉两侧(光滑侧、粗糙侧)对籽粒产量贡献的差异,以杂交水稻Q优6号和准两优527为材料,在3种施氮水平(0 kg/hm2、150 kg/hm2、300 kg/hm2)下,采用剪叶、粘叶的方法设置5种处理(距叶枕2cm剪断光滑侧,距叶枕2 cm剪断粗糙侧... 为了比较水稻剑叶主脉两侧(光滑侧、粗糙侧)对籽粒产量贡献的差异,以杂交水稻Q优6号和准两优527为材料,在3种施氮水平(0 kg/hm2、150 kg/hm2、300 kg/hm2)下,采用剪叶、粘叶的方法设置5种处理(距叶枕2cm剪断光滑侧,距叶枕2 cm剪断粗糙侧,粘光滑侧叶长中间部10 cm段,粘粗糙侧叶长中间部10 cm段和空白对照),分析相同条件下处理间的籽粒总质量、粒重叶长比、千粒重、结实率以及SPAD值变化等情况。结果表明,处理光滑侧的籽粒总质量较处理粗糙侧的低,但相同品种同一施氮水平下各处理间的籽粒总质量、千粒重、每穗粒数、结实率无显著差异。Q优6号、准两优527剑叶粒重叶长比分别为1.00~1.20 g/cm和0.90~1.00 g/cm;剑叶一侧进行剪叶和粘叶处理后Q优6号粒重叶长比有所下降,准两优527粒重叶长比有所上升。粗糙侧SPAD值环比增长率绝对值较光滑侧高,处理光滑侧较处理粗糙侧具有更高的SPAD值变化。整体比较,水稻剑叶光滑侧对籽粒产量的贡献高于粗糙侧。 展开更多
关键词 剑叶 籽粒产量 光滑 粗糙侧 SPAD值
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半导体工业中临界尺寸线边缘粗糙度的测量 被引量:5
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作者 李洪波 赵学增 +1 位作者 褚巍 肖增文 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期674-678,共5页
详细论述了刻线边缘粗糙度问题的产生原因,线边缘粗糙度的定义以及目前采用的测量方法和分析方法,比较了线边缘粗糙度的测量工具,并讨论了测量线边缘粗糙度的技术障碍.
关键词 纳米 粗糙 线边缘粗糙 原子力显微镜
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微小型光开关侧壁反射镜光路传输效率优化方法
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作者 徐浩然 卜瑛 +1 位作者 代俊 刘东芳 《制导与引信》 2022年第1期56-60,共5页
提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输... 提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输效率测试实验。结果表明,经聚焦离子束刻蚀后,微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度由190nm减小到56nm,光路传输效率由10.2%提高到39.1%。 展开更多
关键词 半导体工艺 微小型光开关 聚焦离子束 壁反射镜粗糙 光路传输效率
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硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
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作者 陈少武 屠晓光 +3 位作者 余和军 樊中朝 徐学俊 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期568-571,共4页
讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗... 讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案. 展开更多
关键词 硅基微纳光子器件 电子束/光学邻近效应 ICP-RIE刻蚀 光波导粗糙 CVD
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高深宽比硅通孔检测技术研究
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作者 燕英强 吉勇 +2 位作者 明雪飞 陈波 陈桂芳 《电子与封装》 2014年第11期9-12,共4页
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测... 由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 白光干涉 粗糙 通孔形状 通孔深度 无损检测
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选区激光熔化制备CuSn10薄壁件侧表面粗糙度研究 被引量:3
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作者 李忠华 李霍东 +4 位作者 蒯泽宙 杨志成 史京帅 陈彦磊 刘斌 《应用激光》 CSCD 北大核心 2022年第7期52-58,共7页
研究了不同激光功率与扫描速度对SLM成形的单道CuSn10薄壁侧表面的表面形貌与粗糙度的影响,得出最优成形工艺;以上述工艺成形双道CuSn10薄壁件并研究了不同扫描间距对两成形侧表面粗糙度的影响;以上述扫描间距作为轮廓偏移量制备长直线... 研究了不同激光功率与扫描速度对SLM成形的单道CuSn10薄壁侧表面的表面形貌与粗糙度的影响,得出最优成形工艺;以上述工艺成形双道CuSn10薄壁件并研究了不同扫描间距对两成形侧表面粗糙度的影响;以上述扫描间距作为轮廓偏移量制备长直线扫描填充与短直线扫描填充的0.5 mm薄壁件。研究结果表明:在激光功率为195 W,扫描速度为550 mm/s时,成形单道薄壁件平均粗糙度最低为2.3μm±0.2μm;随着扫描间距的增大,第二成形面粗糙度减小,在扫描间距为120μm、140μm、160μm时,两平行熔道相互作用较低,对粗糙度影响较小;短直线扫描填充策略比长直线扫描填充策略成形的薄壁件侧表面粗糙度更小。当偏移量为160μm时,短直线扫描填充成形薄壁件侧表面平均粗糙度最小,达到2.27μm±0.4μm。 展开更多
关键词 选区激光熔化 CuSn10 扫描间距 表面粗糙
原文传递
4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善
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作者 董志华 刘辉 +5 位作者 曾春红 张璇 孙玉华 崔奇 程知群 张宝顺 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期239-243,共5页
采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以... 采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度。分析了其中的刻蚀机理,实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 碳化硅 深刻蚀 微沟槽 粗糙
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基于SOI微环谐振腔的表面光滑化研究
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作者 苏莹 赵学峰 +1 位作者 张志东 闫树斌 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2017年第1期126-129,共4页
针对硅波导粗糙侧壁引起的散射损耗是影响SOI微环谐振腔传输性能主要因素的问题,采用热氧化对MEMS工艺制备的微环谐振腔粗糙侧壁进行表面光滑化修饰。利用耦合实验测试其传输性能,同时分析了热氧化温度与微环谐振腔传输特性之间的关系... 针对硅波导粗糙侧壁引起的散射损耗是影响SOI微环谐振腔传输性能主要因素的问题,采用热氧化对MEMS工艺制备的微环谐振腔粗糙侧壁进行表面光滑化修饰。利用耦合实验测试其传输性能,同时分析了热氧化温度与微环谐振腔传输特性之间的关系。实验结果表明,氧化温度在1 000℃时,硅波导粗糙侧壁改善效果明显,此时微环谐振腔具有较好的耦合效率和较高的Q值,Q值高达1.2×104。实验结果为硅波导传感器表面光滑化研究提供了重要的参考依据。 展开更多
关键词 微机电系统 绝缘体上硅 微环谐振腔 热氧化 品质因数 传输损耗 粗糙
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绝缘体上硅波导质量对马赫–泽德尔干涉仪光学性能的影响
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作者 刘川 陈晨 孙德贵 《应用物理》 CAS 2022年第1期28-34,共7页
SOI波导被公认为光子集成电路(PIC)最有前途的平台,本文研究了SOI波导马赫–泽德尔干涉仪(MZI)型2 &#215;2-光开关光学性能对波导加工质量的依赖性,建立了理论模型。进而,系统模拟了波导侧壁粗糙度(SWR)对芯片上光损耗(OCL)的影响,... SOI波导被公认为光子集成电路(PIC)最有前途的平台,本文研究了SOI波导马赫–泽德尔干涉仪(MZI)型2 &#215;2-光开关光学性能对波导加工质量的依赖性,建立了理论模型。进而,系统模拟了波导侧壁粗糙度(SWR)对芯片上光损耗(OCL)的影响,分析了脊宽误差(RWE)对器件输出端口的串扰(XT)效应。结果表明,对于芯层厚度为2.0 μm和脊宽为2.0 μm的SOI波导,MZI型器件的光输出性能的两个依赖性:OCL/SW = 0.5 dB/nm,XT/RWE = 1.2 dB/nm,实验结果与此结果一致。因此,本项成果可为MZI-PIC器件的设计提供数据基础。 展开更多
关键词 SOI波导 马赫–泽德尔干涉仪(MZI) 粗糙度(SWR) 脊宽误差(RWE)
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基于响应面法的微挤出3D打印氧化硅多孔陶瓷工艺参数优化
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作者 王妙 刘富初 +6 位作者 王毅 赵彦鹤 张亮 刘浩 徐凯 程鹏 韩光超 《精密成形工程》 2024年第12期68-81,共14页
目的探明微挤出3D打印氧化硅多孔陶瓷性能与工艺参数的影响规律,获得较优的3D打印工艺参数,优化氧化硅多孔陶瓷侧表面粗糙度、强度和气孔率。方法采用微挤出3D打印技术制备氧化硅多孔陶瓷,基于响应面法方法,以针头内径、层高/针头内径... 目的探明微挤出3D打印氧化硅多孔陶瓷性能与工艺参数的影响规律,获得较优的3D打印工艺参数,优化氧化硅多孔陶瓷侧表面粗糙度、强度和气孔率。方法采用微挤出3D打印技术制备氧化硅多孔陶瓷,基于响应面法方法,以针头内径、层高/针头内径比值和打印速度为自变量,分析不同工艺参数对陶瓷侧表面粗糙度、抗弯强度和气孔率的影响。结果针头内径和层高/针头内径比值的交互作用对侧表面粗糙度影响最大,针头内径和打印速度的交互作用对抗弯强度和气孔率影响最为显著。确定了最优工艺参数方案,即针头内径为0.41 mm、层高/针头内径比值为48%和打印速度为610 mm/min,此时氧化硅多孔陶瓷具有优异的综合性能,即侧表面粗糙度为21.24μm±0.98μm、抗弯强度为7.38 MPa±0.31 MPa、气孔率为52.21%±1.07%。结论建立了氧化硅多孔陶瓷侧表面粗糙度、抗弯强度和气孔率与针头内径、层高/针头内径比值、打印速度的二阶非线性回归数学模型,实现了侧表面粗糙度、抗弯强度与气孔率的协同优化,为微挤出3D打印技术在多孔陶瓷领域的推广应用提供了理论依据和实践参考。 展开更多
关键词 氧化硅多孔陶瓷 微挤出3D打印 响应面法 表面粗糙 抗弯强度 气孔率
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日本Ulvac公司开发层间绝缘膜腐蚀技术
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作者 杨晓婵 《现代材料动态》 2004年第7期13-13,共1页
关键词 日本Ulvac公司 层间绝缘膜 腐蚀技术 氟化氩保护膜 集成电路 粗糙
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