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真实体系光电离截面共振结构的理论研究
1
作者
马晓光
孙卫国
程延松
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期475-476,482,共3页
利用我们提出的普遍适用的精确光电离截面公式和介电影响函数研究了原子光电离共振结构受粒子数密度影响的效应。结果表明用新的光电离截面公式可以直接处理宏观环境对截面的影响,明显地优于孤立原子光电离截面公式。
关键词
精确光电离截面
共振结构
密度效应
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职称材料
题名
真实体系光电离截面共振结构的理论研究
1
作者
马晓光
孙卫国
程延松
机构
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期475-476,482,共3页
基金
国家自然科学基金(10074048)
教育部基金资助项目
文摘
利用我们提出的普遍适用的精确光电离截面公式和介电影响函数研究了原子光电离共振结构受粒子数密度影响的效应。结果表明用新的光电离截面公式可以直接处理宏观环境对截面的影响,明显地优于孤立原子光电离截面公式。
关键词
精确光电离截面
共振结构
密度效应
Keywords
Photoionization cross section
Resonance structure
Density effect
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
真实体系光电离截面共振结构的理论研究
马晓光
孙卫国
程延松
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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