基于IGBT老化的系统电磁兼容性退化仿真研究

绝缘栅极晶体管(IGBT)是电力电子设备中比较容易出现老化故障的半导体开关器件,IGBT老化后不仅自身工作性能会发生退化,同时也会对其工作电路的电磁兼容可靠性造成影响。本文总结分析了IGBT的老化机理及其对系统电磁兼容性的影响,建立了带有寄生参数的IGBT等效电路模型,仿真研究了其内部关键寄生参数变化对其外部工作特性的影响,并以典型“交-直-交”型IGBT变流系统为例,仿真研究了IGBT老化后关键寄生参数的变化对变流系统电磁兼容性退化的影响。