添加纳米SiO_2对Mg-Al-Si-O系陶瓷烧结及介电性能的影响

通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10～20%时可以有效降低材料的介电常数;含量为30%时可以获得最大体积密度和弯曲强度。

耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料的研究(英文)

本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系，通过气氛压力烧结工艺（Gas Pressure Sintering，GPS）研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响，分析了该材料的显微结构特点及增强机理。实验结果表明：通过控制材料组分和工艺参数的变化，制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好，弯曲强度：74．7～174．83MPa；介电常数：3．5-4．2；介电损耗：0．5-4．5×10^-3，可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求。

复合氧化物掺杂法制备抗还原BCTZ系陶瓷的研究

提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺.采用溶胶-凝胶法在500-800℃下合成复合氧化物掺杂剂,此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料,该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的,具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料.本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响.研究表明,在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性.在500-800℃内,复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明,采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷,其室温相对介电常数不小于18000,介质损耗低于0.7％,绝缘电阻率达到1012Ω·cm,居里点在5-20℃之间可调,平均晶粒尺寸GAV小于4μm.该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产.

钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象

测量了 (Na0 .5 Bi0 .5 ) Ti O3和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷从 2 0～ 5 0 0°C的介电温谱。发现 (Na0 .5 Bi0 .5 )Ti O3陶瓷在 15 0～ 35 0°C和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷在 30～ 30 0°C的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现 ,对于 (N a0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷直至室温附近的热滞现象 ,与其常温下处于三角 -四方准同型相界 (MPB)附近有关 ,而且这一热滞的存在必然影响 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti

ZnO籽晶对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Sb_2O_3系陶瓷微观结构和压敏性能的影响

研制了添加预制ZnO籽晶的ZnO Bi2 O3 TiO2 Sb2 O3系压敏陶瓷 ,测量了添加不同含量籽晶的ZnO陶瓷的压敏电压 (V1mA)、非线性系数 (α)和漏电流 (IL)等电学性能参数 ,采用XRD和SEM研究了籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构的影响。研究结果表明 ,籽晶的含量对晶粒的生长状况以及Ti4+离子的分布状况都具有显著的影响 ,当ZnO籽晶添加量为 1 0 %时可获得压敏性能最为优化的ZnO陶瓷。

TiO_2含量对BaO-Sm_2O_3-TiO_2系陶瓷性能的影响

以BaCO3,Sm2O3,TiO2为原料,制备BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷,运用XRD,SEM和矢量网络分析仪对BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征,研究TiO2含量对材料烧结性能、主晶相生长与微波性能的影响。结果表明,随着x值增加,最佳烧结温度下降,样品的密度降低,BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷微波性能得到改进。当x=4时,主晶相为BaSm2Ti4O12,该样品为单相物质,当x=6时,TiO2以第二相的形式出现在晶相中。

低温合成ZnO-Li_2O-B_2O_3-SiO_2系陶瓷材料

采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频多层片式电感领域.

(1-y)Ca_(1-x)La_(2x/3)TiO_3-yCa(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_3系陶瓷的缺位结构与微波介电性能研究

采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0°C下烧结保温 4小时所得到材料的微波介电性能最佳 :εr=5 5 ,Q×f值 =4 5 0 0 0GHz(7.6GHz下 ) ,τf=0 .0 4× 10 - 6 °C。同时还探讨了三价阳离子La3+ 固溶时产生的A点缺陷VCa2 + 对固溶体结构及微波介电性能的影响。

谈内蒙古地区古磁州窑系陶瓷文化的现状及发展

内蒙古地区古磁州窑系文化带集中分布在内蒙古中部。主要位于黄河岸边的呼和浩特市清水河县周边地区,该地区延续了古老的磁州窑陶瓷生产工艺,一直发展到近代,陶瓷手工艺都非常兴盛。而近年来,随着大量的塑料、金属、合成材料等陶瓷替代品的出现,陶瓷的应用范围逐渐缩小,市场萎缩。北方"磁州窑系"产品面临着南方陶瓷的竞争,在市场经济竞争中处于劣势。

KPS-NaHSO_3体系梳型聚羧酸系陶瓷分散剂的合成及性能研究

以羟基纤维素(HEC)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯磺酸钠(SMAS)为单体,采用水溶液自由基聚合的方法制备了一种梳型阴离子型陶瓷分散剂。通过试验,研究了各反应条件对添加了0.3%(相对于绝干料浆质量)梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸系高效陶瓷分散剂的陶瓷坯体料浆流动时间和厚化度的影响。结果表明,梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸高效陶瓷分散剂最佳合成条件为:HEC的用量为0.05 g,NaHSO3的用量为0.45 g,聚合温度为80℃,聚合时间为2 h。当梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸系高效陶瓷分散剂掺量为0.3%(相对于绝干料浆质量)时,陶瓷坯体料浆体系的流出时间降至36.3 s,厚化度降至10.05。

SrTiO_3-Nd_2O_3系陶瓷的介电频谱研究

研究SrTiO3-Nd2O3系陶瓷的介电频谱特性。由介电频谱确定了此种陶瓷的介电弛豫频率和介电弛豫时间,并对介电频谱进行了理论分析和讨论。

La2O3—TiO2系陶瓷物相与介电性能研究

固相法合成Ｌａ２Ｏ３－ＴｉＯ２系陶瓷介质材料，ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＳ分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶２、２∶１９组分可获得极低介质损耗，ＸＲＤ分析主晶相为Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶３组分可获得Ｌａ２／３ＴｉＯ３、Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４复相、缺陷型钙钛矿相Ｌａ２／３ＴｉＯ３不利于介质损耗降低。ＥＤＳ分析表明晶界富集Ｓｉ杂质，有效促进了液相烧结。

Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响 ,锐钛型TiO2 的掺杂可优化温度系数 ,得到介电性能优异的BZN陶瓷 .

氮化物系陶瓷

本文介绍了氮化物系陶瓷的性能,着重描述了氮化硅和氮化铝陶瓷的显微结构特点及其对性能的影响,和该材料的应用前景。

工艺对SrTiO_3-MgTiO_3-Bi_2O_3·nTiO_2系陶瓷结构和性能的影响

研究了ＳｒＴｉＯ３－ＭｇＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响．研究表明，采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大．以ＳｒＴｉＯ３、碱式碳酸镁、ＴｉＯ２为初始原料以及经过预先合成烧块的工艺，有利于Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，促进Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２在ＳｒＴｉＯ３中的固溶，并可获得充分烧结的。

BTNT系陶瓷的微波特性研究

研究了 Ba O- Ti O2 - Nd2 O3- Ta2 O5(BTNT)系陶瓷材料的结构和微波特性。实验结果证明 :五种组分的BTNT系材料具有钨青铜结构 ,用此类材料研制的微波单片陶瓷电容器 (SL C)具有良好的高频和微波特性。

非氧化物系陶瓷复合材料的开发动向

1.开发背景 氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧氮化铝、赛隆(Sialon)等非氧化物系陶瓷,由于耐热性、耐腐蚀性优异,正被应用于众多工业领域.此外,这类陶瓷材料分散了六方晶氮化硼的复合材料,由于耐腐蚀性、耐热性、耐热冲击性等综合机械性质进一步提高,所以,可望应用于钢铁工业等方面.

Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料研究进展

Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料微观结构独特,高温性能优良,在高温结构材料与航天防热领域表现出诱人的应用前景。从Si-B(Al)-C-N系陶瓷的主要制备方法与工艺特点,典型的组织特征和高温性能,以及Si-B(Al)-C-N基复合材料的性能特点等几方面,综述了该系陶瓷材料的研究现状,展望了其发展趋势。

SiO_2-MgO-Al_2O_3-F系玻璃陶瓷的析晶

本文应用TEM ,XRD和EDAX等技术 ,系统研究了SiO2 MgO Al2 O3 F系玻璃陶瓷的析晶过程。结果表明 :在玻璃熔体的冷却过程中 ,由于弛豫作用而形成晶核 ,在随后的热处理过程中 ,中间相Mg2 FBO3 和KAlSiO4 以此核为中心析出 ;氟的存在促进了晶体的整体析出 。

Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)系低对称β相陶瓷的相转变与显微结构

低对称 β相陶瓷是BZN系陶瓷的基本物相之一 .本工作以粉末XRD分析和断面SEM分析为研究手段 ,采用不同的冷却方式以及不同承烧垫板 ,研究了BZN系低对称 β相陶瓷在 110 0℃附近的熔融分解、转熔等相转变行为以及相应的显微结构变化 .研究表明 ,低对称 β相是异成分熔融化合物 ,在 110 0℃吸热分解为α相与液相 ;在自然冷却时 ,发生转熔过程 ,α相转入熔融液相中 ,析出 β相 ;在淬火冷却时 ,液相中析出BZN系立方萤石相 .对应于低对称 β相陶瓷在转熔温度 110 0℃附近的熔融分解、转熔等相转变行为 ,其显微结构也表现出相应的显著变化 .