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Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt)_2]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]阴离子的能带结构研究 被引量:2
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作者 蔡淑惠 陈忠 +2 位作者 孙福侠 高宪成 卢绍芳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1117-1122,共6页
二核钼簇合物Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt_2)]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]的阴离子在晶体中构成独特的链状结构,本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构.结果表明,相邻簇阴离子... 二核钼簇合物Mo_2S_4(i-mnt)_2(Et_4N)_2和(Et_4N)_3K[Mo_2S_4(i-mnt_2)]_2[i-mnt=S_2C(CN)^(2-)]的阴离子在晶体中构成独特的链状结构,本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构.结果表明,相邻簇阴离子间存在弱的相互作用,它是形成链状结构的基础.链状结构与晶体的半导体性质相关联.态密度和晶体轨道重叠布居反映了晶体中电荷分布状况及化学成键特点,与晶体结构分析、NMR谱学表征结果相符合. 展开更多
关键词 二核 钼硫簇合物 紧束缚能带 计算 能带结构
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γ-TiAl中掺杂原子取代位置的量子化学研究 被引量:10
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作者 黄尊行 王秀丽 +1 位作者 周立新 李俊篯 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期218-221,共4页
用(EHT)紧束缚能带计算方法计算了g -TiAl及其掺杂合金的原子间成键强度,并依据键强度建立了判断掺杂原子取代位置的模型。掺杂原子的位置应根据取代前后的键强度相近的取代方式进行确定。模型预测的结果与场理论方法的结果是一致的,也... 用(EHT)紧束缚能带计算方法计算了g -TiAl及其掺杂合金的原子间成键强度,并依据键强度建立了判断掺杂原子取代位置的模型。掺杂原子的位置应根据取代前后的键强度相近的取代方式进行确定。模型预测的结果与场理论方法的结果是一致的,也与实验结果基本相符,据此能够定性判断掺杂原子的取代位置。 展开更多
关键词 掺杂 原子取代位置 γ-TiAI 紧束缚能带方法 量子化学 电子结构 钛铝合金
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Ti-48Al-2M^1-2M^2(M^1=Nb,V;M^2=Mn,Cr,V)合金电子结构
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作者 黄尊行 郭鸿旭 +1 位作者 周立新 李俊■ 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第3期331-335,共5页
用紧束缚能带计算方法(EHT)研究了标题多元合金的能带及电子结构。发现少量的多种元素在γ-TiAl中掺杂,对合金中电荷分布的影响,具有单种元素掺杂的叠加性;选择适当的合金元素就能达到多种掺杂的性能互补。多种元素掺杂能更有效地使成... 用紧束缚能带计算方法(EHT)研究了标题多元合金的能带及电子结构。发现少量的多种元素在γ-TiAl中掺杂,对合金中电荷分布的影响,具有单种元素掺杂的叠加性;选择适当的合金元素就能达到多种掺杂的性能互补。多种元素掺杂能更有效地使成键电子云趋势于球形化,Peierls力均称为化,有利于增加γ-TiAl合金的塑性和变形性。 展开更多
关键词 Γ-TIAL EHT 能带 电子结构 紧束缚能带计算方法 钛铝合金 掺杂 塑性
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Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征 被引量:1
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作者 宋友林 王玉仓 +1 位作者 贾瑜 姚乾凯 《河南教育学院学报(自然科学版)》 2001年第4期13-15,共3页
在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A... 在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A表面的层态密度函数 ,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和 (311)A表面的共同电子结构特征 ,计算结果与实验结果基本一致 . 展开更多
关键词 格林函数 束缚方法 高弥勒指数表面 表面态 能带结构
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Topological Insulators on the Ruby Lattice with Rashba Spin-Orbit Coupling
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作者 HOU Jing-Min WANG Guo-Xiang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第7期129-135,共7页
We investigate a tight-binding model of the ruby lattice with Rashba spin-orbit coupling. We calculate the band structure of the lattice and evaluate the Z2 topological indices. According to the Z2 topological indices... We investigate a tight-binding model of the ruby lattice with Rashba spin-orbit coupling. We calculate the band structure of the lattice and evaluate the Z2 topological indices. According to the Z2 topological indices and the band structure, we present the phase diagrams of the lattice with different filling fractions. We findthat topological insulators occur in some range of parameters at 1/6, 1/3, 1/2, 2/3 and 5/6 filling fractions. We analyze and discuss the characteristics of these topological insulators and their edge states. 展开更多
关键词 topological insulators ruby lattice rashba spin-coupling
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