施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)

利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。

施加电场的半抛物量子阱中的电光效应(英文)

利用量子力学中的紧致密度矩阵方法,研究了施加电场的半抛物量子阱中的电光效应。通过位移谐振子变换,得到了系统中的电子态的精确解。对典型的GaAs材料进行数值计算的结果表明,随着电场强度的增加,电光效应系数几乎线性随之增加;但是随着半抛物量子阱受限势频率的增加,电光效应系数单调地减小;而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下,半抛物量子阱模型中的电光效应系数比抛物量子阱模型中的值大两个数量级,这是由于我们所选模型本身的非对称性以及电场进一步使这种非对称性增强的缘故。

量子点量子阱中的三阶非线性光学特性的研究(英文)

利用紧致密度矩阵近似方法,研究了一个特殊量子点量子阱中的三阶非线性光学特性(三次谐波产生),得到了量子点量子阱系统的三次谐波产生系数的解析表达式,而且考虑了量子点量子阱系统中的两种电子束缚态-壳层阱内与阱外两种束缚态。对CdS/HgS构成的典型的量子点量子阱进行了数值计算,得到了10-15(m/v)2量级的三次谐波产生系数,并且绘出了三次谐波产生系数作为量子点量子阱的尺寸和泵浦光子能量的函数曲线,最后对曲线的特征及其形成的原因进行了解析。

退极化效应对三次谐波产生的影响

用紧致密度矩阵和弛豫时间近似方法,研究退极化效应对三次谐波产生的影响．给出三次谐波产生系数表达式．在半抛物量子阱中,给出三次谐波产生的数值结果．退极化效应破坏了三共振,修改了三次谐波产生谱．使原来的三共振峰退化为一双共振峰和一单共振峰．