锌膜退火氧化制备ZnO薄膜的单一紫光发射性能

通过锌膜在金属锌熔点以上的温度退火氧化的方法制备ZnO薄膜,研究了氧气压力对ZnO薄膜发光性能的影响。ZnO薄膜的室温光致发光谱是由发光中心在413nm^424nm处的单一紫光组成。随着氧气压力的增加,紫光的强度增加并且发光中心由424nm偏移到413nm。在低氧气压力下(50 Pa^500Pa),紫光的发射归因于电子从价带到锌间隙原子(Zni)之间的跃迁。在高氧气压力下(5000Pa^23000Pa),锌间隙原子(Zni)和锌空位(VZn)缺陷都和紫光发射有关。

高效紫光有机发光二极管的研制

在本研究工作中,向PVK材料中掺入了与其能级结构相似的小分子材料BCPO,形成PVK:BCPO混合发光层。与纯PVK发光层相比,PVK:BCPO混合发光层的电子传输能力大大改善。一方面,发光层中电子与空穴两种载流子的传输更加平衡,并使得器件的内电阻大大减小。另一方面,发光层/电子传输层界面附近的电荷堆积明显减弱,激基复合物发光被显著抑制,器件的紫光发光效率得到有效提高。

磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性

采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅。样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高。

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。

无铅铜基卤化物Rb2CuBr3的合成与发光特性

近年来,新兴的铅卤化物钙钛矿材料由于其高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度、带隙可调等特性,在光电子器件应用方面受到了广泛的关注。然而,重金属铅的毒性严重阻碍了其大规模的生产和商业化发展。因此,开发低毒性的无铅钙钛矿材料成为该领域亟待解决的问题。本文采用高温热注入法制备了一种无铅铜基卤化物Rb2CuBr3材料,系统探究了原料中Rb+/Cu+量的比和反应时间对合成Rb2CuBr3的纯度和结晶质量的影响。透射电子显微镜显示合成的Rb2CuBr3微观特征为一维棒状形貌,这与其固有的一维晶体结构相符。此外,制备的Rb2CuBr3材料表现出明亮的紫光发射(390 nm),PLQY高达91.75%。进一步,采用温度依赖的光致发光(PL)和时间分辨的PL测试,证实了该材料较大的斯托克斯位移和宽的发射光谱来源于自限域态激子相关的辐射复合。整体来讲,这种具有高效发光特性的无铅Rb2CuBr3材料在未来的照明及显示等领域具有巨大的应用潜力。