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NEA GaN光电阴极的制备及其应用
被引量:
7
1
作者
乔建良
常本康
+1 位作者
高有堂
田思
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007年第9期524-527,共4页
近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物...
近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物汽相外延(HVPE)等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺。讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况。
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关键词
NEA
GAN
生长技术
电子束平版印刷术
紫外光光电探测器
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职称材料
题名
NEA GaN光电阴极的制备及其应用
被引量:
7
1
作者
乔建良
常本康
高有堂
田思
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007年第9期524-527,共4页
基金
教育部高等学校博士点基金(编号:20050288010)资助课题
文摘
近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物汽相外延(HVPE)等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺。讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况。
关键词
NEA
GAN
生长技术
电子束平版印刷术
紫外光光电探测器
Keywords
NEA
GaN
growth technology
E-beam lithography
ultraviolet detector
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NEA GaN光电阴极的制备及其应用
乔建良
常本康
高有堂
田思
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007
7
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