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UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料 被引量：4
1
作者 戴显英 胡辉勇 +1 位作者 张鹤鸣 孙建诚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-308,325,共4页
介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件... 介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGeHBT材料.SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦.此外,还研制出了SiGeHBT器件. 展开更多
关键词 紫外光化学气相沉积 超高真空化学气相沉积 SIGE异质结双极晶体管 HBT UVCVD UHVCVD
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