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氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究
1
作者
羊群思
田葵葵
+6 位作者
吴静
陈雷雷
刘楚乔
金宁
赵琳娜
闫大为
顾晓峰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期399-403,共5页
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接...
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接近GaN的禁带宽度,表明最高价带处产生了高浓度的空穴;器件能够实现紫外光探测,在偏压为-5 V时,紫外/可见光抑制比约为1×103,最高响应度约为0.045 A/W,最大外量子效率约为15.5%,瞬态响应平均衰减时间常数约为35 ms。由此可见,氟等离子体离子注入是调节Au/Ni/n-GaN二极管电学和光学性能的有效手段之一。
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关键词
氟等离子体离子注入
反向泄漏电流
紫外光响应探测
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职称材料
题名
氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究
1
作者
羊群思
田葵葵
吴静
陈雷雷
刘楚乔
金宁
赵琳娜
闫大为
顾晓峰
机构
江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期399-403,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504050,11604124,51607022)
文摘
研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接近GaN的禁带宽度,表明最高价带处产生了高浓度的空穴;器件能够实现紫外光探测,在偏压为-5 V时,紫外/可见光抑制比约为1×103,最高响应度约为0.045 A/W,最大外量子效率约为15.5%,瞬态响应平均衰减时间常数约为35 ms。由此可见,氟等离子体离子注入是调节Au/Ni/n-GaN二极管电学和光学性能的有效手段之一。
关键词
氟等离子体离子注入
反向泄漏电流
紫外光响应探测
Keywords
fluorine plasma ion implantation
reverse leakage current
ultraviolet photoresponse detection
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究
羊群思
田葵葵
吴静
陈雷雷
刘楚乔
金宁
赵琳娜
闫大为
顾晓峰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
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