软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文)

报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性.

软膜紫外光固化纳米压印制备等离子体纳米孔结构的工艺优化

利用软膜紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀技术在玻璃衬底上制备了等离子体纳米孔阵列。为了实现高分辨低成本软膜紫外光固化纳米压印技术在生物传感领域的应用和产业化,必须对压印的一些具体工艺参数如压印压力进行优化。在这项工作中,压印压力最小化到10 psi,结果表明这一数值足以保证图案的精确复制以及图案转移的保真度。最后,利用反应离子刻蚀的方法去除残余光胶,并用剥离的方法进行图案转移,成功地制备出了均匀性良好的金纳米孔阵列。为了证明金属纳米周期结构在生物传感上的应用,使该阵列表面吸附蛋白质分子,结果观察到明显的透射峰偏移。

柔性复合模板压印技术制备图形化蓝宝石衬底

图形化蓝宝石衬底(PSS)技术对提高发光二极管(LED)的内量子效率和光提取效率具有重要意义。研究了一种采用柔性复合模板压印制备图形化蓝宝石衬底的技术,其工艺流程主要包括三步图形转移。首先,在蓝宝石衬底上沉积二氧化硅,并在二氧化硅膜层上旋涂压印胶,利用紫外光固化压印技术实现模板结构向压印胶层转移。再通过电感耦合等离子体刻蚀的方法将压印胶层的结构转移到二氧化硅膜层,并以二氧化硅为掩模湿法腐蚀蓝宝石衬底形成图形结构。最后,去除二氧化硅后即可获得图形化蓝宝石衬底。实验证明,在柔性复合模板纳米压印技术制备的图形化蓝宝石衬底上生长的LED,其光致发光谱的强度比无图形结构衬底上生长的LED明显增强。