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紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征 被引量:3
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作者 赵青南 倪佳苗 +3 位作者 张乃芝 赵修建 姜宏 王桂荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期142-145,共4页
制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X... 制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4+和Ce^4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线。 展开更多
关键词 射频溅射 玻璃基TiOx-CeO2薄膜 紫外光截止镀膜玻璃 基片温度
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