利用晕苯增强CCD紫外响应的实验研究

传统的电荷耦合器件(CCD),在400nm以下CCD的量子效率太低,而传统的基于CCD的紫外增强技术可以提高CCD对紫外波段的响应,但是存在光谱信号弱的缺点,并且系统分辨率也因此降低。一种自行研制的CCD紫外荧光增强技术,其创新在于去除CCD表面保护玻璃,通过真空镀膜的方法将晕苯直接沉积在CCD敏感元件表面,能有效地提高CCD的紫外响应度,并削弱薄膜对分辨率的影响。对于离散谱线,253.6nm波长的相对强度提高10倍。对于连续谱线,紫外波段的信号也得到明显增强,截止频率从290nm降至220nm。该种方法制作紫外CCD成本不高,可以实现批量生产,适合工业应用。

基于三(8-羟基喹啉)铝的紫外增强薄膜研究

为了提高硅基成像器件的紫外响应,本文通过对Alq3发光机理与光致发光特性的研究,用真空蒸镀的方法制备出了基于Alq3的有机金属薄膜。通过测量Alq3薄膜的透过率、光致发光光谱和激发光谱,发现Alq3薄膜在可见波段有很好的透过性,用紫外光激发会产生较强的绿光(中心波长位于510nm),且激发光谱宽(250～425nm)。结论表明Alq3薄膜的发射光谱能够与传统硅基成像器件的响应光谱匹配,是一种符合实际要求的紫外增强薄膜。