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Na掺杂含量对ZnO:Nax薄膜结构和光电性能的影响
被引量:
1
1
作者
郑展
陈凌翔
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期23-26,132,共5页
利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响。研究结果表明Na含量低于5%时,ZnO∶Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长。随着Na含量的增加,薄膜由本...
利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响。研究结果表明Na含量低于5%时,ZnO∶Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长。随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型。并且当Na含量为2%时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3。结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn。PL测试表明ZnO∶Na0.0 2薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射。
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关键词
Na掺杂
P型
紫外带边发射
受主态NaZn
下载PDF
职称材料
题名
Na掺杂含量对ZnO:Nax薄膜结构和光电性能的影响
被引量:
1
1
作者
郑展
陈凌翔
叶志镇
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室.浙江杭州
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期23-26,132,共5页
基金
教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助项目(707035)
文摘
利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响。研究结果表明Na含量低于5%时,ZnO∶Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长。随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型。并且当Na含量为2%时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3。结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn。PL测试表明ZnO∶Na0.0 2薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射。
关键词
Na掺杂
P型
紫外带边发射
受主态NaZn
Keywords
Na doping ~ p-type ~ near-band-gap transition acceptor Naz.
分类号
TB43 [一般工业技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Na掺杂含量对ZnO:Nax薄膜结构和光电性能的影响
郑展
陈凌翔
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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