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紫外线厚胶光刻技术研究及应用
被引量:
4
1
作者
李雯
谭智敏
+1 位作者
薛昕
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期151-153,共3页
紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图...
紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。
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关键词
紫外线厚胶光刻技术
SU-8
AZ4620
双面对准
光刻
机
紫外线
光刻
工艺
胶
结构图形
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职称材料
题名
紫外线厚胶光刻技术研究及应用
被引量:
4
1
作者
李雯
谭智敏
薛昕
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期151-153,共3页
文摘
紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。
关键词
紫外线厚胶光刻技术
SU-8
AZ4620
双面对准
光刻
机
紫外线
光刻
工艺
胶
结构图形
Keywords
UV lithography
SU 8
AZ4620
3D MEMS
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
紫外线厚胶光刻技术研究及应用
李雯
谭智敏
薛昕
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2003
4
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