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题名扩展三值纠一检二码原理与设计
被引量:2
- 1
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作者
沈云付
潘磊
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机构
上海大学计算机工程与科学学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期1615-1621,共7页
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基金
国家自然科学基金(No.61073019)
上海市教委创新基金(No.13YZ005)
上海市重点学科建设项目(No.J50103)
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文摘
本文在三值汉明码一位检错纠错研究工作的基础上,对三值汉明码的检错纠错方法进行进一步研究.给出了扩展三值汉明码的形式,通过对扩展三值汉明码的错误分析获得了一位纠错和二位检错原理,给出了扩展三值汉明码的纠错码表,根据纠错码表提出了一位纠错方法,给出了基于三值光学计算机的扩展三值汉明码检错纠错概念结构图和功能部件,为检错纠错系统的光学设计提供一种途径.
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关键词
三值光学计算机(TOC)
三值扩展汉明码
纠一检二码
纠错码表
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Keywords
ternary optical computer(TOC)
extended ternary hamming code
single error correction and double error detection(SEC-DED)
error-correcting tables
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分类号
TP302.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名高可靠微处理器结构与实现(英文)
被引量:3
- 2
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作者
彭和平
赵元富
高德远
于立新
陈雷
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机构
西北工业大学航空微电子设计中心
北京微电子技术研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第7期78-81,85,共5页
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文摘
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm2/mg平均LET进行。
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关键词
容错
三模冗余(TMR)
错误纠一检二(SEC-DED)
可靠性
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Keywords
Fault-tolerance, Triple Modular Redundanee(TMR), EDAC, Reliability.
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于CPLD的容错存储器的设计实现
- 3
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作者
汪友宝
马佩军
郝跃
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机构
西安电子科技大学微电子研究所
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出处
《现代电子技术》
2004年第4期4-6,共3页
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基金
国防预先研究和基金项目 ( 4 1 32 30 60 1 0 7)
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文摘
分析了存储器产生错误的原因 ,提出了提高其可靠性的有效途径。结合航天计算机可靠性增长计划 ,给出了一套利用纠检错芯片对其进行容错的方案 ,并给出了通过 CPL D器件实现的仿真结果。最后对容错存储器的可靠性进行了分析。
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关键词
容错
纠一检二
瞬态错误
最佳奇权码
复杂可鳊程逻辑器件
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Keywords
fault tolerant
SECDED
SEU
optimal oddweightcolumm code
CPLD
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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