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氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究
被引量:
1
1
作者
程开富
《电子工业专用设备》
1997年第4期40-43,共4页
介绍在硅CCD多路传输器研制中,热壁LPCVD氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。
关键词
热壁LPCVD
等离子腐蚀
氮化硅
红外信平面陈列
下载PDF
职称材料
题名
氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究
被引量:
1
1
作者
程开富
机构
重庆光电技术研究所
出处
《电子工业专用设备》
1997年第4期40-43,共4页
文摘
介绍在硅CCD多路传输器研制中,热壁LPCVD氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。
关键词
热壁LPCVD
等离子腐蚀
氮化硅
红外信平面陈列
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究
程开富
《电子工业专用设备》
1997
1
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