新型红外光电控制器及其应用

1 前言最近几年随着电子技术和元器件的技术进步,光电控制器已从白炽灯光源的可见光光电控制器发展为采用新型固体红外光源的砷化镓发光二极管的红外光电控制器,它作为位置检测元件具有调整容易、效率高、功耗少、寿命长、性能稳定的特点,并且具有接触开关、磁电式接近开关等无可比拟的优点。它属于无接触检测,不影响被检物,也不受被检物物性的影响,几乎可以检测一切物体。它反应速度快,从几毫秒到几微秒。分辨率高,不受磁场、振动影响。

GaSb单晶研究进展

近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。

穿越碲镉汞上PC-SiO_2膜的硼离子注入

变温霍耳测量和电阻率测量,已被用于监测硼元素穿透p型碲镉汞材料上光化学生成的SiO_2薄膜后对其载流子行为的影响,证明形成了n型层。借助于新的中子深度分布测量法已经定量地、非破坏性地测得B^(10)的绝对浓度和分布情况。正如所预期的那样,硼元素在SiO_2和Hg_(1-x)Cd_xTe中的分布强烈地依赖于离子注入的能量。然而,人们发现经200℃退火后硼元素分布的改变是很小的。本文简要地谈到采用通常离子注入方法所制成的中红外(MWIR)探测器的性能。