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高效可见光发射多孔硅的红外光致发光表征 被引量:4
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作者 周咏东 金亿鑫 宁永强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期77-80,共4页
研究了77K下高效可见光发射多孔硅材料的红外光效发光光谱。
关键词 多孔硅 红外光致发光 可见光发射
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窄禁带Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te的红外光致发光 被引量:1
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作者 常勇 王晓光 +1 位作者 唐文国 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期174-176,共3页
对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行... 对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行了指认 ,发现存在于这种材料中的 4me V的杂质能级 ,其来源是材料中的浅杂质 . 展开更多
关键词 红外光致发光 窄禁带半导体 HGCDTE
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基于步进扫描傅里叶变换的红外光致发光研究 被引量:1
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作者 周旭昌 杨彦 +3 位作者 覃钢 张阳 李东升 木迎春 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第1期11-13,共3页
搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统,结合FTIR光谱仪的步进扫描功能,在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明,相对于常规的连续谱扫描,步进扫描的方式成功地抑制了背景辐射的影响,同时还显著... 搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统,结合FTIR光谱仪的步进扫描功能,在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明,相对于常规的连续谱扫描,步进扫描的方式成功地抑制了背景辐射的影响,同时还显著提高了PL谱信号的信噪比,在室温下获得了光滑的PL谱曲线。 展开更多
关键词 红外光致发光 傅里叶变换光谱 步进扫描
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在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光 被引量:1
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作者 高瑛 赵家龙 +5 位作者 刘学彦 苏锡安 梁家昌 高鸿楷 龚平 王海滨 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期468-472,共5页
通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13eV和1.04eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主... 通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13eV和1.04eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及Frank-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13eV与1.04eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300eV和0.401eV。 展开更多
关键词 红外光致发光 异质外延 砷化镓 薄膜 衬底
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阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
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作者 马楠 窦程 +4 位作者 王嫚 朱亮清 陈熙仁 刘锋 邵军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期317-322,共6页
采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化... 采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。 展开更多
关键词 红外光致发光 GaSbBi 发光效率 阱内δ掺杂
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钇对掺铒多孔硅体系1.54μm发光的增强作用 被引量:4
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作者 张晓霞 谢国伟 +3 位作者 石建新 罗莉 黄伟国 龚孟濂 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1430-1433,共4页
首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅 (poroussilicon ,PS)中 ,经高温退火处理后 ,观察到了在近红外区(1 5 4μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence ,PL) ,并与掺铒多孔硅 (erbium dopedporoussilicon ,PS∶Er)做了比... 首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅 (poroussilicon ,PS)中 ,经高温退火处理后 ,观察到了在近红外区(1 5 4μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence ,PL) ,并与掺铒多孔硅 (erbium dopedporoussilicon ,PS∶Er)做了比较 ,发现钇的共掺入对掺铒多孔硅体系 1 5 4μm发射起了增强作用 .研究了铒、钇共掺杂多孔硅 (erbiumandyttriumco dopedporoussilicon ,PS∶Er ,Y)光致发光强度随温度的变化 ,发现PS∶Er与Si∶Er材料相似 ,有较强的温度猝灭效应 ,而PS∶Er ,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳 ,且有增强的趋势 ,受温度影响不明显 ,并初步探讨了其发光机制 . 展开更多
关键词 掺杂 多孔硅 增强作用 红外光致发光 发光机理 电化学
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中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化
7
作者 常勇 唐文国 +3 位作者 程才凤 王晓光 褚君浩 汤定元 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1489-1492,共4页
对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上 ,引入更高频率调制锁相测量手段。通过这一测量方法的引入 ,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化 ,基本消除了室温背景的黑体辐射... 对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上 ,引入更高频率调制锁相测量手段。通过这一测量方法的引入 ,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化 ,基本消除了室温背景的黑体辐射在 4μm~ 5 μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10 μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱 ,从而将光致发光测量推至 5 展开更多
关键词 中远红外傅里叶变换发光测量 优化 傅里叶变换光谱 双调制技术 黑体辐射 红外光致发光光谱测量方法 无损检测 半导体材料
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薄膜光学理论
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《中国光学》 EI CAS 1996年第1期58-59,共2页
O484 96010407不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究—Experimental investigation on laser—induced change of absorption coeffcient nearinfrared in undoped GaAs film[刊,中]/王德煌,王威礼,李桂棠(北京大学)。... O484 96010407不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究—Experimental investigation on laser—induced change of absorption coeffcient nearinfrared in undoped GaAs film[刊,中]/王德煌,王威礼,李桂棠(北京大学)。庄婉如。 展开更多
关键词 实验研究 光吸收系数 光学薄膜 红外光致发光 激光 中科院 膜系设计 掺杂 高分子膜 异质外延
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Synthesis of CuInS_2 nanocrystals and their structural transformation triggered by ligand exchange
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作者 KATSUHIRO Nose YUKI Soma +1 位作者 TAKAHISA Omata SHINYA Otsuka-Yao-Matsuo 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2009年第21期4005-4008,共4页
Chalcopyrite-type CuInS2 NCs was synthesized by the hot-soap method. Mixed solutions, CuI and InCl3 dissolved in the mixture of the tri-octylphosphite and 1-octadecene and the sulfur dissolved in tri-phenylphosphite, ... Chalcopyrite-type CuInS2 NCs was synthesized by the hot-soap method. Mixed solutions, CuI and InCl3 dissolved in the mixture of the tri-octylphosphite and 1-octadecene and the sulfur dissolved in tri-phenylphosphite, were used as source solutions; the hexadecylamine was additionally mixed as a surfactant before the reaction. It was observed that the product CuInS2 NCs structurally transformed from the chalcopyrite(CP)-or zincblende(ZB)-to the wurtzite(WZ)-type depending on the amount of the surfactant and a storage time after the surfactant addition. Very weak photoluminescence in the near-infrared region was observed for the CP-or ZB-type NCs. This band was attributable to the electronhole recombination via defect levels. No photoluminescence was detected for the wurtzite-type NCs. 展开更多
关键词 电脑合成 脑结构 配体交换 纳米晶体 红外光致发光 表面活性剂 网络电脑 引发
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